类型 | 2个N沟道+2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 4.5A;3.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@3.9A,10V |
功率(Pd) | 1.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 574pF@20V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 配置 | 全桥 |
DMHC4035LSD-13是一款高性能的H桥场效应管配置,适用于各种电源管理和电机驱动应用。该器件由两个N沟道和两个P沟道MOSFET组成,具有出色的导通电阻和灵活的工作参数,能够在广泛的环境条件下稳定工作。
DMHC4035LSD-13可以广泛运用于以下领域:
电机驱动: 由于其高漏极电流和低导通电阻,该器件可以高效驱动直流电动机以及步进电动机,确保电机在不同负载条件下能稳定运行。
电源管理: 本产品能够有效控制电流流动,适合应用于开关电源、负载开关和电池管理系统中,有助于优化功率分配,提升能源利用效率。
线性调节器: DMHC4035LSD-13也可以用作简单的线性调节电路中的开关元件,以确保输出电流的稳定和输出电压的精确控制。
通信设备: 由于其快速的开关特性,适用于现代通信设备中的信号调理和功率调节电路。
自动化设备: 作为实时控制系统的一部分,该产品也适用于制造业中的自动化设备和机器人系统,能够高效处理频繁的开关操作。
总而言之,DMHC4035LSD-13是一款功能强大的H桥MOSFET,凭借其优越的电气性能、宽广的应用范围及优越的温度特性,使其成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在电机驱动、电源管理还是其他高效能应用中,DMHC4035LSD-13均能提供可靠、稳定的性能,是设计工程师理想的选择。