晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1.25A |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 500mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@1A,5V | 特征频率(fT) | 180MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 330mV@1.25A,125mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FMMTL619TA 是一种高性能的 NPN 型晶体管,适用于各种电子应用领域,特别是在功率控制、信号放大和开关电路等任务中的优异表现。其设计基于先进的半导体技术,提供了卓越的电气特性,适合需要高电流与高增益的场合。此外,该晶体管采用 SOT-23-3 封装,具备表面贴装特性,有利于实现紧凑的电路布局。
FMMTL619TA 的高性能使其适用于多个领域的应用,包括但不限于:
FMMTL619TA 采用 SOT-23-3 表面贴装封装,特点包括:
FMMTL619TA 作为一款高效能、高可靠性的 NPN 晶体管,凭借其优越的电气特性和广泛的应用适配性,成为电子工程师和设计师在电路设计时的重要选择。无论是对于测试设备、消费电子或是工业控制系统,FMMTL619TA 都能提供理想的性能,以满足现代电子设备的需求。
对于计划使用 FMMTL619TA 的工程师,建议仔细考虑其最大额定值与应用条件,以确保在各种工作环境中的安全与稳定性能。如果您对该产品有进一步的需求或问题,欢迎随时联系供应商 DIODES 以获取支持和咨询。