DSS20201L-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DSS20201L-7

商品编码: BM0000000593
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.018g
描述 : 
三极管(BJT) 600mW 20V 2A NPN SOT-23
库存 :
1179(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.579
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.579
--
200+
¥0.399
--
1500+
¥0.363
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS20201L-7参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)20V功率(Pd)600mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1A,2V特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)40mV@1.0A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

DSS20201L-7手册

DSS20201L-7概述

产品概述:DSS20201L-7 NPN 晶体管

一、产品简介

DSS20201L-7 是一款高性能的 NPN 型晶体管,具有优异的电流承载能力和出色的频率响应。这款晶体管专为各种电子电路设计而优化,广泛应用于开关电源、信号放大器及其他需要高可靠性和高效率的应用场景。凭借其出色的电气特性和小型化封装,DSS20201L-7 成为现代电子产品设计中不可或缺的元器件之一。

二、关键特性

  1. 电流和电压规格

    • 集电极电流 (Ic):最大为 2A,能够满足大多数负载驱动需求。
    • 集射极击穿电压 (Vceo):最大为 20V,确保在特定条件下的安全工作,减少潜在的破坏风险。
  2. 饱和特性

    • 在 200mA 和 2A 的工作电流下,集电极-发射极饱和压降 (Vce) 最大为 100mV,表明在导通状态下功耗极低,有助于提高整体效率。
  3. 截止电流

    • 在115°C 下,集电电流截止值 (ICBO) 最大为 100nA,表明该晶体管在非导通状态下的漏电流极小,有利于延长电路的使用寿命与提高稳定性。
  4. 电流增益

    • 在 500mA 的工作电流和 2V 的电压下,商品的直流电流增益 (hFE) 最小值为 200。这一特性使得 DSS20201L-7 在放大信号时能够提供良好的增益表现,满足各种应用需求。
  5. 功耗与工作频率

    • 最大功耗为 600mW,加之高达 150MHz 的频率响应,使其非常适合于高频应用,如射频放大器和开关电源电路。
  6. 工作温度范围

    • DSS20201L-7 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其在极端环境条件下仍能稳定运行,适用于工业、汽车及航空航天等领域。

三、封装与安装

本产品采用小型 SOT-23 封装,符合现代电子元器件的紧凑化要求。表面贴装型的设计简化了安装过程,使其适用于自动化生产线。同时,小型化的封装设计使其适用于空间受限的应用场合,有助于设计出更紧凑的电路解决方案。

四、应用领域

DSS20201L-7 的广泛应用领域包括但不限于:

  • 信号处理:在音频和射频电路中,作为信号放大器和开关元件。
  • 开关电源:在 DC-DC 转换器及其他电源管理应用中,作为开关控制器。
  • 功率放大:用于无线通信和数据传输设备中,通过高效放大信号来提高通信质量。
  • 汽车电子:在汽车控制单元中用作开关和驱动元件。
  • 消费电子:如智能手机、平板电脑和其他便携设备中的信号开关和放大用途。

五、总结

DSS20201L-7 NPN 晶体管兼具低饱和压降、高电流增益和宽工作温度范围,为多种应用提供了理想的选择。其卓越的电气特性和小巧的 SOT-23 封装使其成为众多电子设计中的首选器件。无论是在消费电子、汽车还是工业设备领域,DSS20201L-7 都可以高效、可靠地满足设计需求,为产品的性能提升提供助力。

如需更多关于 DSS20201L-7 的详细信息,可访问 DIODES(美台)的官方网站或联系本地分销商获取技术支持与咨询。