DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7 产品概述

一、产品简介

DMN66D0LW-7 是一种高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），由知名半导体品牌 DIODES（美台）制造。该器件专为在高效能和高密度应用场合下运作而设计，其具有出色的电气特性和广泛的适用性，适合用于不同的电子电路设计。

二、主要参数

1. FET 类型：N 通道
2. 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
3. 漏源电压（Vdss）：60V
4. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时可提供 115mA（Ta）
5. 驱动电压：
   • 最大 Rds On，最小 Rds On：5V，10V
6. 最大导通电阻（Rds(on)）：6 欧姆（@ 115mA，5V）
7. 栅源阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 时最大值为 2V
8. Vgs（最大值）：±20V
9. 不同 Vds 时输入电容（Ciss）：23pF（@ 25V）
10. 功率耗散（最大值）：200mW（Ta）
11. 工作温度范围：-55°C 到 150°C（TJ）
12. 安装类型：表面贴装型
13. 封装：SOT-323、SC-70

三、产品特点

DMN66D0LW-7 作为 N 通道 MOSFET，其具备优异的导通性能和低导通电阻，使其在功率开关和线性输出应用中表现出色。其漏源电压为60V，较高的电压容忍度使其在多种电源轨情况下稳定运作。此外，该器件的工作温度范围宽广（-55°C 到 150°C），使其适用于极端环境条件下的应用。

四、应用场景

1. 电源管理：DMN66D0LW-7 可以用于各种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、电源开关及电源保护电路等。
2. 汽车电子：其广泛的工作温度范围使其适合在汽车电子设备中使用，包括电机控制、LED 驱动和电源分配等。
3. 消费电子：适用于智能手机、平板电脑及其他移动设备的电源管理。
4. 工业控制：其高效率和可靠性也使得 DMN66D0LW-7 成为工业自动化与控制系统中理想的选择。

五、总结

DMN66D0LW-7 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其高达 200mW 的功率耗散能力、低导通电阻及宽广的工作温度范围，在多个应用场景中均有广泛的适用性。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子领域，该器件均展现出其良好的电气特性和高可靠性。选择 DMN66D0LW-7，将为您的电子设计提供强有力的支持。