类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@4.5V,5.8A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.4nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 820pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 160pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2066LSS-13是一款高性能的P沟道MOSFET,专为各种电子电路设计而开发,特别适用于需要高效电源管理和信号切换的应用。该组件由DIODES(美台)公司制造,封装类型为SO-8,这种表面贴装型设计使得DMP2066LSS-13非常适合现代紧凑型电子设备,能够有效节省电路板空间。
FET类型和技术:DMP2066LSS-13为P通道MOSFET,这种类型的场效应管具备快速开关与低导通电阻的特点,非常适合于高效率的开关电源、逆变器、负载开关及其他需要控制电流流向的应用。
电气参数:
阈值电压与驱动要求:
输入和输出特性:
热参数:
DMP2066LSS-13广泛应用于各类电源管理与控制电路,包括:
DMP2066LSS-13具有优异的电气性能以及紧凑的封装设计,相较于传统的分立半导体器件,提供了更高的集成度与更小的占板面积。同时,其高可靠性和宽工作温度范围也使其在复杂的工业环境中得以广泛应用。
总结而言,DMP2066LSS-13是一款功能强大、性能卓越的P沟道MOSFET,具备灵活的应用范围和良好的热管理能力,是现代电子产品设计中非常理想的元件选择。无论是在消费电子、工业控制还是新能源等领域,DMP2066LSS-13都展现出了极大的市场潜力和应用价值。