类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 700mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 700mΩ |
功率(Pd) | 400mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 235pF@50V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品介绍
DMN10H700S-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名半导体厂商 DIODES(美台)生产。其具有优良的电气性能和广泛的应用范围,适合用于各种电子电路设计,特别是在需要高效能和高可靠性的领域。
主要参数
DMN10H700S-7 的主要电气参数包括:
物理特性
DMN10H700S-7 采用 SOT-23 封装,表面贴装式设计使其适合于小型化电路板,同时便于自动化组装。该封装形式紧凑,满足现代电子设备对空间的严格要求。而其工作温度范围的宽广性使其可在多种环境下稳定运行,进一步增强了其应用的灵活性。
应用领域
由于其较高的电压和电流规格,DMN10H700S-7 特别适合于以下应用场合:
市场竞争力
DMN10H700S-7 凭借其卓越的性能参数和可靠的制造工艺,具备强大的市场竞争力。相对同类产品,其低导通电阻和较低的栅极电荷使其成为高效电源设计的理想选择。此外,合适的工作温度范围和高耐压能力,使其在各种苛刻环境中表现出色。
总结
总体而言,DMN10H700S-7 是一款性能优越、可靠性高的 N 通道 MOSFET,适合广泛的应用场合。随着电子设备日益向小型化和高效能方向发展,该产品无疑将在未来的电子市场中继续占有一席之地,帮助工程师实现更高效、更节能的产品设计。选择 DMN10H700S-7,您将获得品质与性能的完美结合。