类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 400mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@100mA,4V |
功率(Pd) | 280mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 39pF@3V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.6pF@3V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 配置 | 共源 |
DMN32D2LDF-7是一款高性能的N沟道双MOSFET,采用SOT-353封装,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要高效开关的低功率应用场合。其最大漏极电流可达400mA,漏源电压达到30V,适用于逻辑电平驱动的各种开关应用。
DMN32D2LDF-7是一款逻辑电平的MOSFET,能够直接与低电平数字电路接口(如3.3V或5V微控制器)配合使用,适合用于各种逻辑控制开关、功率管理和信号放大等电路中。其低栅极驱动电压以及较低的导通电阻,使其特别适合用于以下应用:
DMN32D2LDF-7在消费电子、汽车电子、电机控制、工业自动化等多个领域都有广泛应用。在具体应用中,可以在以下方面发挥作用:
总之,DMN32D2LDF-7是一款高效、可靠的双N沟道MOSFET器件,其在多种环境下的优良性能使其成为设计师在产品开发时的重要选择。凭借其低导通电阻、宽工作温度范围以及高工作电流能力,DMN32D2LDF-7为电子设计提供了更多可能性。其广泛应用于各类低功耗和逻辑控制的开关电路,能够助力电子产品在多变市场环境中的卓越表现。选择DMN32D2LDF-7,不仅能够提高产品性能,还能提升整体设计的经济性与效率。