类型 | NPN | 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 20000@5V,100mA | 功率(Pd) | 300mW |
集电极电流(Ic) | 300mA | 特征频率(fT) | 125MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@100uA,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMBTA14-7-F是一款NPN型达林顿晶体管,其主要特点包括高增益、高集电极电流和良好的频率响应,适合用于各种信号放大和开关应用。此器件由DIODES(美台)提供,封装形式为SOT-23,整体设计旨在满足现代电子设备对小型化和高效能的要求。
晶体管类型:NPN - 达林顿
最大集电极电流(Ic):300mA
集射极击穿电压(Vceo):30V
Vce饱和压降(最大值):1.5V @ 100µA,100mA
集电极截止电流(ICBO):100nA
直流电流增益(hFE):20000 @ 100mA,5V
功率(最大值):300mW
跃迁频率:125MHz
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23
MMBTA14-7-F NPN达林顿晶体管以其高增益和高效能特性,被广泛应用于如下领域:
MMBTA14-7-F作为一款高性能的NPN达林顿晶体管,凭借其极好的电流增益、广泛的工作温度范围和小型封装,成为了许多电子设计的优选配件。无论是在家用电器、消费类电子产品还是工业设备中,其广泛的应用能力和出色的性能使得其成为工程师在设计电路时的重要考量。随着电子价格的逐步降低,这种器件预计将在越来越多的领域得到更广泛的应用。