DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13 产品概述

DMN2019UTS-13 是由美台（Diodes）公司制造的一款高性能双N沟道场效应晶体管（MOSFET），采用表面贴装技术（SMD），封装类型为TSSOP-8。这款元器件的设计旨在满足现代电子设备中对高效能、低耗损和小型化的需求，对于需要处理高电流和低导通电阻的应用场景表现出色。

主要参数

1. FET类型: 该器件为双N沟道共漏配置，适用于多种开关和放大应用。通过双管设计，DMN2019UTS-13 能够支持更高的电流负载，同时优化空间占用。

2. 漏源电压（Vdss）: 器件的额定漏源电压为20V，使其适合在中低电压应用中运行，确保其在高电压条件下依然可以安全稳定工作。

3. 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该器件的最大连续漏极电流达到5.4A，适用于驱动较高电流负载的应用，如电机驱动、LED驱动及电源管理等。

4. 导通电阻（Rds(on)）: 不同电流（Id）和栅极电压（Vgs）下，器件的最大导通电阻为18.5毫欧，测试条件为7A和10V。这一参数的优化，减少了在电流传输过程中的功率损失，提高系统的整体效率。

5. 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 器件的最大栅极阈值电压为950mV（测试条件为250µA），这表明该MOSFET能够在较低的栅极电压下启动，适用于逻辑电平控制，增强了其在低电压逻辑电路中的使用灵活性。

6. 栅极电荷（Qg）: 在4.5V栅极电压条件下，器件的最大栅极电荷为8.8nC。这表明在开关动作中所需的驱动电流相对较小，有助于降低驱动电路的功耗，适用于高频开关应用。

7. 输入电容（Ciss）: 器件在10V条件下的最大输入电容为143pF，表明在高频应用中，信号的传输延迟较低，能够有效支持高效切换操作。

8. 功率额定值: DMN2019UTS-13 的最大功率为780mW，进一步增强了其在功率管理电路中的实用性。

9. 工作温度范围: 器件的工作温度范围宽泛，从-55°C到150°C，确保其适用于各种恶劣环境下的应用，尤其是工业和汽车电源系统。

10. 封装和安装类型: 封装为8-TSSOP（0.173"宽，4.40mm），使其适合紧凑型电路板设计。表面贴装技术确保了在自动化生产过程中高效、可靠的装配。

应用领域

DMN2019UTS-13 MOSFET 适合于多种应用，包括但不限于：

• 电源管理: 作为开关元件，在开关电源和DC-DC转换器中应用，能够有效提高电源系统的效率。

• 电机驱动: 在直流电动机和步进电机驱动电路中，可以作为高效开关控制元件，为电机提供稳定的驱动电流。

• LED驱动: 适用于LED照明控制电路，降低驱动功耗，增加LED的工作寿命。

• 逻辑电平转换: 因其低栅极阈值电压，适合应用于由微控制器驱动的逻辑电平转换器。

总之，DMN2019UTS-13 是一款性能优越、适应性强的双N沟道 MOSFET，能够为现代各种电子设备提供可靠的电流控制和功率转换解决方案。随着电子工业的不断进步与创新，DMN2019UTS-13 将在新一代电子产品中发挥不断增长的重要作用。