BSN20-7

BSN20-7 产品概述

产品名称: BSN20-7
类型: N沟道MOSFET
封装: SOT-23 (TO-236-3, SC-59)
供应商: DIODES (美台)

一、产品介绍

BSN20-7是一款高性能的N型金属氧化物场效应管（MOSFET），主要用于开关和线性应用。这款MOSFET特别设计用于在中到低电压要求的电路中，以符合现代电子设备对功耗管理、小型化和高效能的追求。其具备的高达50V的漏源电压（Vdss）和500mA的连续漏极电流（Id）使其适用于多种应用，涵盖了从电源管理、LED驱动到小型功放等多种领域。

二、主要参数

1. 漏源电压（Vdss）: 50V
   BSN20-7支持最大50V的漏源电压，能够满足多种中低电压电路的需求，适合使用于商业和工业电源产品中。

2. 连续漏极电流（Id）: 500mA @ 25°C
   在环境温度25°C下，该产品可以持续承载最大500mA的电流，使其在较高负载条件下表现出色。

3. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V @ 250µA
   具有较低的栅源阈值电压，便于控制和驱动。它确保MOSFET在低电压驱动的条件下也能有效开启。

4. 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.8Ω @ 220mA, 10V
   这是开关操作中非常关键的参数，导通电阻值较低，意味着在导通过程中将产生的损耗较小，提高了整体能效。

5. 栅极电荷（Qg）: 0.8nC @ 10V
   此项指标确保快速开关操作，适合高频开关电源和其他要求快速响应的电路。

6. 输入电容（Ciss）: 40pF @ 10V
   低输入电容意味着BSN20-7在不同开关频率下能维持较高的开关速度，适合在RF和高速开关应用中使用。

7. 功率耗散（Pd）: 600mW @ Ta=25°C
   最大功率耗散能力达600mW，这使得BSN20-7可适用于多种功率需求的电路设计中。

8. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
   广泛的工作温度范围使得BSN20-7适合于各种苛刻环境下的应用，能够确保在高低温度条件下的稳定性和可靠性。

三、应用领域

BSN20-7由于其优秀的电气特性和广泛的工作条件，能够应用于多个领域，如：

• 电源管理: 用于高效的DC-DC转换器、线性稳压器及开关电源电路中。
• LED驱动: 极佳的导通性能和迅速的开关速度使其在LED驱动电路中成为理想选择。
• 信号开关: 在各类数字和模拟信号开关/调节电路中，提供高效控制。
• 便携式设备: 小巧的SOT-23封装非常适合空间有限的消费电子产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。

四、结论

作为DIODES（美台）推出的高性能N沟道MOSFET，BSN20-7凭借其坚固的电气规格和广泛的应用能力，已成为电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在电源管理、LED驱动还是信号控制应用中，BSN20-7都能为设计师提供高效、稳定的解决方案，是构建现代电子设备的理想选择。