类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 3.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 59mΩ@4.5V,3.9A |
功率(Pd) | 1.36W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.028nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 254pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP1055UFDB-7 是由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)推出的一款二阶段 P 沟道场效应管(MOSFET)。该元器件采用 U-DFN2020-6 封装,专为表面贴装设计。其双 P 沟道结构使其在多种应用场景中表现出色,尤其是在需要控制电流及提供高效开关性能的场合。
电气特性:
开关特性:
电容特性:
功率与功耗:
工作环境:
DMP1055UFDB-7 被设计用于广泛的应用场合,包括但不限于:
DMP1055UFDB-7 的设计使其在诸多领域具备显著优势:
综上所述,DMP1055UFDB-7 是一款高效能、低功耗的小型 P 沟道 MOSFET,完美适合各类电源管理和开关应用。其独特的电气特性、出色的散热能力和广泛的工作温度范围,使其在现代电子设计中成为不可或缺的元件之一。无论是在消费电子,汽车电子还是工业自动化领域,DMP1055UFDB-7 都能够提供令人满意的性能表现,助力设计 engineers 实现高效、可靠的电子产品。