DMN61D8L-7

产品概述：DMN61D8L-7 MOSFET

基本信息

DMN61D8L-7是一款高效的N沟道场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）公司生产，采用SOT-23封装。该MOSFET设计用于满足25°C时连续漏极电流可达470mA，漏源电压（Vds）最高可达60V的要求，适用于多个电子电路和系统中，包括开关电源、低功耗应用和电机驱动等。

技术参数

• FET类型: N通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 最大漏源电压 (Vds): 60V
• 25°C下的最大漏极电流 (Id): 470mA
• 驱动电压: 3V - 5V
• 最大导通电阻 (Rds On): 1.8Ω（@ 150mA，5V）
• 门极阈值电压 (Vgs(th)): 最大2V（@ 1mA）
• 栅极电荷 (Qg): 最大0.74nC（@ 5V）
• 最大栅源电压 (Vgs): ±12V
• 输入电容 (Ciss): 最大12.9pF（@ 12V）
• 功率耗散: 最大390mW
• 工作温度范围: -55°C至150°C
• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• 封装外壳: SOT-23（TO-236-3，SC-59，SOT-23-3）

应用领域

DMN61D8L-7因其出色的电气特性和高工作温度范围，广泛应用于以下领域：

1. 电源管理: 在开关电源设计中作为高效开关元件。
2. 电机控制: 适用于直流电机、步进电机等驱动电路。
3. 消费电子: 在智能手机、笔记本电脑及其他便携设备中的电源调节和开关电路。
4. 汽车电子: 由于其高工作温度和耐用性，适用于车辆电子控制单元。
5. 工业应用: 在自动化和控制系统中的接口电路。

性能优势

DMN61D8L-7MOSFET具有高效性能和稳定工作参数，能够有效减少功耗和提升线性工作特性。其低导通电阻确保在高电流应用中能够降低传导损耗，而较低的输入电容使其在高速开关应用中表现出色。由于其宽广的工作温度范围，该器件能够在极端环境下保持稳定的性能，保证电子设备的可靠性和寿命。

结论

总的来看，DMN61D8L-7 N沟道MOSFET是一款兼具高效能、低功耗以及广泛应用范围的电子元件。其卓越的电气性能使其成为众多电子设计工程师的理想选择，特别是在电源管理和电机控制的场合。随着技术的不断进步，DMN61D8L-7将为各种现代电子设备提供强大支持，在提升整体效率、降低成本和提高设备性能方面发挥重要作用。无论是在消费类、工业还是汽车电子市场，该MOSFET都将不断展现出其独特价值。