类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,13A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.25V@25uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.21nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7413ZTRPBF是一款高效能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为需要高电流和高电压的电子应用而设计。作为一款30V、13A的MOSFET,IRF7413ZTRPBF适用于多种应用场景,包括开关电源、电机驱动、负载开关等,提供可靠的性能和出色的控制能力。
IRF7413ZTRPBF采用表面贴装型封装(SO-8),其尺寸为0.154英寸(3.90mm宽),适合高密度电路板设计。SO-8封装提供良好的热散逸性能,有助于MOSFET在高负载情况下保持稳定。
IRF7413ZTRPBF广泛应用于:
该MOSFET由知名半导体厂商Infineon(英飞凌)生产,作为全球领先的电力管理和半导体解决方案供应商,Infineon以其高性能、高可靠性的产品而著称,确保了IRF7413ZTRPBF在各种应用中的长时间稳定运行。
IRF7413ZTRPBF是一款为现代电子应用特别设计的高性能N通道MOSFET,凭借其优越的电气参数和可靠的工作特性,成为各类电子设备中不可或缺的元件。无论是在低压开关电源、直流电机驱动,还是在负载开关和电池管理系统中,都能提供优异的表现,是您构建高效能电子设计的理想选择。