IRF7413ZTRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF7413ZTRPBF

商品编码: BM69414059
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.275g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
73(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.99
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.99
--
100+
¥2.4
--
1000+
¥2.15
--
2000+
¥2.02
--
4000+
¥1.92
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7413ZTRPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)13A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10V,13A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.25V@25uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14nC输入电容(Ciss@Vds)1.21nF
反向传输电容(Crss@Vds)140pF工作温度-55℃~+150℃

IRF7413ZTRPBF手册

IRF7413ZTRPBF概述

产品概述:IRF7413ZTRPBF N通道MOSFET

1. 产品简介

IRF7413ZTRPBF是一款高效能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为需要高电流和高电压的电子应用而设计。作为一款30V、13A的MOSFET,IRF7413ZTRPBF适用于多种应用场景,包括开关电源、电机驱动、负载开关等,提供可靠的性能和出色的控制能力。

2. 关键参数

  • 漏源电压(Vdss): 最高可承受30V,适合于低压系统。
  • 电流能力(Id): 连续漏极电流为13A(在25°C环境温度下),让该器件能够满足高功率需求的电路。
  • 导通电阻(Rds On): 在10V栅极驱动电压下,最大导通电阻为10毫欧,这意味着在工作时能量损耗极小,提高了电路的整体效率。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 在25μA的条件下,最大阈值电压为2.25V,这使得MOSFET在较低的栅极电压下能够顺利导通,便于与微控制器和其他逻辑电平信号直接连接。
  • 工作温度范围: 范围宽广,从-55°C到150°C,适合在极端环境下操作。

3. 封装与安装

IRF7413ZTRPBF采用表面贴装型封装(SO-8),其尺寸为0.154英寸(3.90mm宽),适合高密度电路板设计。SO-8封装提供良好的热散逸性能,有助于MOSFET在高负载情况下保持稳定。

4. 性能特点

  • 高效率: 由于低Rds On,该器件在导通状态下的能量损耗极小,因此在高频率开关应用中可以有效降低发热,并提高能效。
  • 快速开关: 栅极电荷(Qg)在4.5V时最大为14nC,使得该器件能够快速开关,适合在需要快速响应的应用中使用。
  • 高输入电容(Ciss): 在15V时最大输入电容为1210pF,这意味着在启动和关断过程中提供了良好的边缘快速转变性能。

5. 应用场景

IRF7413ZTRPBF广泛应用于:

  • 开关电源(SMPS): 作为开关元件,提高电源转换效率,降低功耗。
  • 直流电机驱动: 用于电机控制电路,提供高电流的开关能力。
  • 负载开关: 用于控制大功率负载的启停,保障设备的安全稳定运行。
  • 电池管理系统: 在充放电过程中作电流开关,保护电池模块。

6. 供应商与制造商

该MOSFET由知名半导体厂商Infineon(英飞凌)生产,作为全球领先的电力管理和半导体解决方案供应商,Infineon以其高性能、高可靠性的产品而著称,确保了IRF7413ZTRPBF在各种应用中的长时间稳定运行。

结论

IRF7413ZTRPBF是一款为现代电子应用特别设计的高性能N通道MOSFET,凭借其优越的电气参数和可靠的工作特性,成为各类电子设备中不可或缺的元件。无论是在低压开关电源、直流电机驱动,还是在负载开关和电池管理系统中,都能提供优异的表现,是您构建高效能电子设计的理想选择。