SI2356DS-T1-GE3

产品概述：SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世）制造的高性能N沟道MOSFET（场效应管），具有出色的电气特性和热性能，广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、马达驱动和负载开关等领域。它的封装类型为TO-236，适合表面贴装，能够满足现代电子设备对体积小、功耗低的需求。

关键技术参数

1. 漏源电压（Vdss）：

   • SI2356DS-T1-GE3的最大漏源电压为40V，使其能够在较高电压系统中稳定工作。这一特性使其非常适合于12V和24V等常见电源电压的应用。

2. 连续漏极电流（Id）：

   • 在25°C环境下，SI2356DS-T1-GE3的最大连续漏极电流为4.3A（Tc），适合承受较大负载，并在恒定工作条件下提供可靠性能。

3. 导通电阻（Rds On）：

   • 该器件在3.2A和10V的条件下，漏源导通电阻为51毫欧。这一低导通电阻值有助于减少导通损耗，提高整体效率。

4. 阈值电压（Vgs(th)）：

   • 栅源极阈值电压为1.5V（@250µA），使得器件在较低的门极驱动电压下也能迅速导通，满足自动化和快速开关应用的需求。

5. 输入电容（Ciss）：

   • 输入电容为370pF（@20V），较小的输入电容帮助增加切换速度，降低开关损耗，适合高频开关应用。

6. 工作温度范围：

   • SI2356DS-T1-GE3可以在-55°C到150°C的温度范围内工作，确保即使在苛刻的环境条件下仍能稳定运行。

7. 功率耗散：

   • 在温度为25°C时，该器件的最大功率耗散为1.7W，结合较高的散热能力，使其在实际应用中非常灵活。

封装特性

SI2356DS-T1-GE3采用TO-236封装（也称为SOT-23），具有小巧、便于集成的特点。该封装非常适合空间受限的电子电路，尤其是在便携式和轻量级设备中广受欢迎。此外，表面贴装技术（SMT）也进一步提升了其制造效率和装配速度。

应用场景

SI2356DS-T1-GE3因其优异的性能，适用于以下几种应用：

• DC-DC转换器：在电源管理模块中作为开关管，调节输出电压。
• 开关电源：实现快速电流切换，降低能耗，提高效率。
• 马达控制：在电机驱动电路中作开关元件，以实现电机的高效控制。
• 负载开关：控制负载开关的开启和关闭，在各种电子设备中提供控制信号。

总结

SI2356DS-T1-GE3是一款值得信赖的N沟道MOSFET，凭借其出色的导通电阻、宽工作温度范围和小巧的封装设计，成为现代电子电路设计中优选的元器件之一。无论是在电源管理、马达驱动还是高效开关电路中，SI2356DS-T1-GE3都能够满足设计者对性能和空间的双重要求，是高效能应用的理想选择。