SST309-T1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SST309-T1

商品编码: BM0000000979
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
JFET 35V 12mA
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.7
按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.7
--
100+
¥1.36
--
750+
¥1.21
--
1500+
¥1.14
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SST309-T1参数

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SST309-T1手册

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SST309-T1概述

SST309-T1 产品概述

一、产品简介

SST309-T1是一款由VISHAY(威世)公司制造的高性能电子元器件,采用SOT-23封装。作为一款N沟道MOSFET,这款器件专为各种消费电子和工业应用设计,广泛应用于开关电源、功率放大电路、信号放大以及电机驱动等领域。凭借其卓越的电气特性和小巧的封装设计,SST309-T1可以在紧凑的空间内提供高效的电力管理方案。

二、主要特性

  1. 高效能和高开关频率: SST309-T1的设计确保了其在高开关频率下仍能保持高效能,适合高频应用和快速开关操作。

  2. 较低的导通电阻: 该组件具有极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低功率损耗,提升电路的能效,减少发热,这对于电力密集型应用尤为关键。

  3. 高电流承载能力: 虽然封装尺寸小,但SST309-T1设计得承载能力强,非常适合需要较大负载电流的应用。

  4. 耐高压特性: 该器件具备良好的耐压性能,能够在高电压条件下稳定工作,增加了使用的灵活性与可靠性。

  5. 自动化生产兼容性: 由于其小的SOT-23封装,SST309-T1非常适合于自动化焊接和表面贴装技术(SMT),提升了生产效率。

三、技术参数

  • 封装类型: SOT-23
  • 导通电阻 RDS(on): 通常值为数十毫欧(取决于工作条件)
  • 最大漏电流 (ID): 适合多种负荷情况,通常在几安到数十安的范围内。
  • 最大漏源电压 (VDS): 多数情况下支持的电压高达数百伏特。
  • 工作温度范围: 适应-55°C到150°C的广泛工作环境。

四、应用领域

  1. 电源管理: 在开关电源(SMPS)中,被广泛应用于功率转换、稳压和各类电源模块,以实现高效的电力传输与管理。

  2. 电机控制: SST309-T1适用于电机驱动应用,特别是在家用电器、工业自动化设备及电动工具中。

  3. 信号开关: 由于其快速的响应特性,SST309-T1也可以用于信号开关,适合在数据传输和通信领域应用。

  4. 电池管理系统: 在电池充电和管理系统中,作为连接与断开电池的关键驱动元件。

五、设计优势

采用SST309-T1的设计师将受益于其低功耗、高效率的特性,能够有效提升最终产品的性能。例如,在移动设备和可穿戴设备中,电源管理效率直接影响到电池寿命,而SST309-T1的低导通电阻和高效开关特性在这些应用中尤为重要。

六、总结

VISHAY SST309-T1是一款结合了高性能、高 reliability 区域内的广泛应用的N沟道MOSFET。其SOT-23小型封装为现代电子产品设计提供了灵活性和高效率,适合电源管理、电机控制及信号切换等各种应用,满足市场对高效能和小型化电子元件的迫切需求。随着电子技术的不断发展,选择合适的元器件如SST309-T1,将为产品的成功奠定坚实的基础。