RZE002P02TL

RZE002P02TL 产品概述

产品名称： RZE002P02TL
品牌： ROHM（罗姆）
封装类型： EMT3 (SC-75/SOT-416)

1. 产品背景

RZE002P02TL 是一种高性能 P 沟道增强型 MOSFET，专为低功耗和小型化电子设备设计。作为 ROHM 公司的优质产品，它采用了先进的 MOSFET 技术，广泛应用于便携式电子设备、开关电源、马达驱动及其他自动化系统中。

2. 主要技术参数

• 漏源电压 (Vdss): 最高 20V，适合用于低电压应用。
• 连续漏极电流 (Id): 200mA @ 25°C，能够支持多种电流负载的需求。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 100µA，确保该 MOSFET 在较低电压条件下能够有效开启。
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 1.2Ω @ 200mA，4.5V，使得该元器件在导通时具有相对较低的损耗，提升系统的整体效率。
• 最大功率耗散: 150mW (Ta=25°C)，在高温或高负载条件下仍能保持较好的热稳定性。
• 工作温度范围: 可在高达 150°C 的条件下正常工作，适用于恶劣环境。
• 栅极电荷 (Qg): 1.4nC @ 4.5V，低栅极电荷特性使得其在驱动时的开关速度更快。
• Vgs（最大值）: ±10V，提供灵活的驱动条件。
• 输入电容 (Ciss): 115pF @ 10V，为高频应用提供了良好的匹配性能。

3. 应用领域

RZE002P02TL 的设计理念尤为符合现代电子设备对体积小、功耗低、效率高的需求，具体应用包括但不限于：

• 便携式电子设备: 如移动电话、平板电脑、可穿戴设备等，由于小巧的封装设计，能节省电路板空间。
• 电机驱动电路: 在低功耗电机驱动和控制系统中，能够平稳、有效地切换电流。
• 开关电源: 用于高效稳压转换器及供电管理解决方案。
• 自动化设备: 在智能家居设备和其他自动化系统中，应用于信号开关和控制。

4. 性能优势

1. 低导通损耗: 得益于其低 Rds(on) 值，RZE002P02TL 在工作时能够显著减少能量损耗，从而提升系统的整体能效。
2. 高效率: 由于其优良的开关特性，特别是在高频应用中，可以提供更快速的响应，减少开关延迟，提高了电路的响应速度。
3. 优异的热管理: 专为高温环境设计，足以应对大部分工业和消费电子产品中可能遇到的严格温度条件。
4. 紧凑封装: EMT3 封装类型（SC-75/SOT-416）的设计使得集成和布局更加灵活，能够有效降低PCB的占用面积，提升整机的小型化程度。

5. 总结

RZE002P02TL 是一款将高性能与小型化完美结合的 P 沟道 MOSFET，适用于各种低电压和低功耗的电路设计。其优良的电气特性、灵活的应用范围及出色的热性能，使其成为现代电子设备理想的选择。无论是在便携式产品还是在各类自动化控制系统中，RZE002P02TL 均能展现出卓越的质量与可靠性，是设计师在选择电子元器件时值得信赖的合作伙伴。