集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@100uA,5V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | 输入电阻 | 47kΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
基本信息
DTC144EMT2L 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)出品的数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)设计,封装形式为 VMT3(SOT-723)。该产品专为低功耗、高效率应用设计,其额定功率为 150mW,具有出色的电气性能,适合用于各种电子设备中,如开关电路和信号处理应用。
电性能参数
DTC144EMT2L 的主要电气参数包括最大集电极电流 Ic 为 30mA,集射极击穿电压 Vce 最大值为 50V。这使得该晶体管能够在较高电压范围内工作,适合用作开关和放大器等应用。其集电极截止电流最大值仅为 500nA,显示出该器件的低功耗性能及良好的关断特性。
对于设计者而言,DTC144EMT2L 的 DC 电流增益(hFE)是一个重要的性能指标,在特定工作条件下,晶体管的增益最小值为 68(在 5mA 的集电极电流和 5V 的 Vce 条件下)。该增益值确保了在低输入信号下依然能够实现有效的信号放大,便利于多种电子电路设计需求。
饱和压降与响应频率
在大多数应用中,晶体管的饱和压降是性能的重要标准。DTC144EMT2L 在较小的输入电流条件下(500µA 的基极电流和 10mA 的集电极电流)具有最大饱和压降 300mV,表明其在开关状态下的效率很高,损耗较小。此外,该器件的跃迁频率达到 250MHz,表明其在高频应用中同样表现良好。这一特性使得 DTC144EMT2L 特别适合于高频数字电路和射频(RF)应用。
应用领域
DTC144EMT2L 的设计使其非常适合于多种实际应用,包括:
设计优势
采用 DTC144EMT2L 的设计方案具有诸多优势:
结论
总的来说,DTC144EMT2L 是一款出色的数字晶体管,具备小型化、高效能和多种应用场景适配能力。无论是在消费电子、工业设备还是通信产品中,这款晶体管都能为设计者提供针对性强、性能稳定的解决方案。ROHM(罗姆)凭借其卓越的技术水平和可靠的产品质量,确保 DTC144EMT2L 在市场上拥有一席之地,推动电子产品的创新与发展。