额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 150mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN,PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 180MHz,140MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SMT6 |
IMZ1AT108 是一款高性能的三极管(BJT),由 ROHM(罗姆)公司生产,适用于需要快速开关和放大的各种电子应用。该三极管支持 NPN 和 PNP 结构,具有良好的电气特性和稳定性,成为电子设计者的理想选择。
IMZ1AT108 的额定功率为 300mW,能够在高负载情况下稳定工作。其集电极电流(Ic)最大可达到 150mA,适用于中等功率应用。该器件的集射极击穿电压(Vce)最大为 50V,这使得 IMZ1AT108 能够在宽广的电压范围内稳定工作。
在电气特性方面,IMZ1AT108 的 Vce 饱和压降分别在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下具有不同的最大值。具体而言,当 Ib 为 5mA 和 50mA 时,Vce 的饱和压降分别为 400mV 和 500mV。这一特性确保了设备在高效能的情况下进行快速切换,同时降低功耗和热损失。此外,IMZ1AT108 的集电极截止电流(ICBO)最大为 100nA,表明其在开关关闭状态时的漏电流非常小,从而提高了电路的效率。
在其它电气特性上,该器件的 DC 电流增益(hFE)在 1mA 和 6V 条件下的最小值为 120,这显示出其优良的增益特性。此外,IMZ1AT108 的频率跃迁特性为 180MHz(NPN)和 140MHz(PNP),适合高频信号的放大和处理。
IMZ1AT108 可在高达 150°C 的工作温度下正常运作,使得其在高温环境中的应用非常广泛。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具体封装类型为 SC-74 和 SOT-457,尺寸小巧,适合现代紧凑型电子产品。其 SMT6 的封装规格适用于自动焊接,简化了生产工艺,提高了生产效率。
IMZ1AT108 作为一款多用途三极管,被广泛应用于消费电子产品、通信设备、开关电源、音频放大器和其他各种学生和工业设备中。由于其高频特性,IMZ1AT108 尤其适合 RF(射频)应用和混合信号电路。此外,其低漏电流和高增益特性使得 IMZ1AT108 在模拟信号处理电路中表现优异。
在使用 IMZ1AT108 时,设计者需要注意其额定参数,确保在工作过程中不超过 150mA 的集电极电流和 50V 的集射极击穿电压。同时,应合理安排散热设计,以应对高达 300mW 的功率消耗。此外,考虑到频率特性,应避免在超出器件工作频率范围的条件下使用,确保其性能不会受到影响。
IMZ1AT108 是一款功能强大的三极管,凭借其卓越的电气特性和适应性,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在开关应用、放大电路还是高频信号处理,其高可靠性和优良性能都能满足专业领域的需求。设计者在选择三极管时,可以依据 IMZ1AT108 的参数特性,作出最佳的设计决策。