类型 | PNP | 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 20000@5V,100mA | 功率(Pd) | 300mW |
集电极电流(Ic) | 500mA | 特征频率(fT) | 125MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@100mA,100uA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMBTA64-7-F 是一款高性能的 PNP 型达林顿晶体管,由知名电子元件制造商 DIODES(美台)生产。该器件采用 SOT-23-3 表面贴装封装,具有出色的电流增益和较低的功耗,适用于各类电子应用。
MMBTA64-7-F 采用 SOT-23-3 封装,这种表面贴装型设计在尺寸上相对 compact,便于在印刷电路板(PCB)上集成,且有助于降低电磁干扰和电源噪声。其小尺寸和轻量特性适合现代许多便携式电子设备。
由于其优异的电气特性,MMBTA64-7-F 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
MMBTA64-7-F 凭借其高电流增益、宽工作温度范围和超低集电极截止电流,成为许多设计工程师在选择 PNP 达林顿管时的首选。此外,其较低的饱和压降和功率耗散特性使得设计在能效和热管理方面都表现良好。
综上所述,MMBTA64-7-F 是一款高性能的 PNP 达林顿晶体管,具备一系列优异的电气参数,可广泛应用于音频放大、开关控制、电源管理等多个领域。其 SOT-23-3 的小型化设计,无疑为现代电子产品的紧凑型设计提供了更多的灵活性。选择 MMBTA64-7-F,将为您的电子设计项目带来卓越的性能与可靠性。