晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMDT5451-7-F是一款高性能双极型晶体管(BJT),具有NPN和PNP两种类型选项,专为广泛的电子应用设计。该器件采用先进的半导体技术,能够提供卓越的电气性能和可靠性,满足现代电子电路的需求。典型应用范围包括开关电源、信号放大电路以及各种低功耗设备,能够在严苛环境下稳定工作,尤其适合消费电子、工业控制和汽车电子领域。
MMDT5451-7-F的主要参数包括:
MMDT5451-7-F的设计使其广泛适用于以下几个主要领域:
MMDT5451-7-F是一款多用途、高性能的三极管,结合了优秀的电气性能和操作稳定性,适合各种严格的应用需求。选择此器件不仅可以提高设计的可靠性,还可以确保在不同的环境条件下正常工作,对于希望在电子设计中实现高效能和小型化的工程师来说,MMDT5451-7-F无疑是一个值得考虑的解决方案。无论是在开关电源、信号处理还是自动化控制中,这款晶体管都能提供卓越的性能,帮助设计师实现更复杂的电路功能。