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MMDT5451-7-F

- 商品编码: BM69414270复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-363复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.016g复制
- 描述: 三极管(BJT) 200mW 160V;150V 200mA NPN+PNP复制
MMDT5451-7-F参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
MMDT5451-7-F手册
MMDT5451-7-F概述
MMDT5451-7-F 产品概述
1. 概述
MMDT5451-7-F是一款高性能双极型晶体管(BJT),具有NPN和PNP两种类型选项,专为广泛的电子应用设计。该器件采用先进的半导体技术,能够提供卓越的电气性能和可靠性,满足现代电子电路的需求。典型应用范围包括开关电源、信号放大电路以及各种低功耗设备,能够在严苛环境下稳定工作,尤其适合消费电子、工业控制和汽车电子领域。
2. 主要规格
MMDT5451-7-F的主要参数包括:
- 晶体管类型:NPN和PNP两种结构,提供灵活的电路设计选择。
- 集电极电流(Ic):最大值为200mA,足以满足大部分通用功率要求。
- 集射极击穿电压:NPN为160V,PNP为150V,这使得该器件能够抵抗高电压应用,适合高压电路。
- Vce饱和压降:在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,提供低至200mV(@5mA,50mA)及500mV的饱和压降,有助于减少功耗并提高电路效率。
- 集电极截止电流(ICBO):最大值为50nA,确保在静态情况下低漏电流,这在敏感应用中非常关键。
- 直流电流增益(hFE):在10mA和5V的条件下,NPN的最低值为80,而PNP为60,提供了良好的放大能力。
- 功率损耗:最大功率为200mW,适合小型和中型功率应用。
- 工作频率:跃迁频率高达300MHz,适合高速应用,确保设备在高频环境下的稳定性。
- 工作温度范围:能够在-55°C至150°C的环境中正常工作,确保即使在极端环境下也能可靠运行。
- 封装类型:采用流行的SOT-363封装,设计合理、占用空间小,非常适合紧凑型电路设计。
3. 应用领域
MMDT5451-7-F的设计使其广泛适用于以下几个主要领域:
- 消费电子:如手机、平板电脑和其他便携式设备中的低功耗开关和放大器电路。
- 工业控制:用于传感器和控制电路中,确保设备的稳定性和高效性。
- 汽车电子:在汽车控制系统、照明和安全系统中提供强大的开关性能及高温耐受能力。
- 通信设备:在各种无线通信和网络设备中负责信号放大和传输。
4. 结论
MMDT5451-7-F是一款多用途、高性能的三极管,结合了优秀的电气性能和操作稳定性,适合各种严格的应用需求。选择此器件不仅可以提高设计的可靠性,还可以确保在不同的环境条件下正常工作,对于希望在电子设计中实现高效能和小型化的工程师来说,MMDT5451-7-F无疑是一个值得考虑的解决方案。无论是在开关电源、信号处理还是自动化控制中,这款晶体管都能提供卓越的性能,帮助设计师实现更复杂的电路功能。
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