类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 2.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 144mΩ@10V,1.9A |
功率(Pd) | 900mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.05nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 105pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: SI2308CDS-T1-GE3
品牌: VISHAY(威世)
类型: N 通道 MOSFET
封装: SOT-23-3(TO-236)
SI2308CDS-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道场效应管(MOSFET),专为面向各种电子应用而设计。凭借其出色的电气性能和紧凑的封装,SI2308CDS-T1-GE3 非常适合用于自动化、开关电源、DC-DC 转换器、LED 驱动和其他需要高效率开关控制的应用场景。
SI2308CDS-T1-GE3 的多种特性使其适合用于多个领域,包括但不限于:
该产品采用 SOT-23-3(TO-236)封装,这种表面贴装型封装不仅节省空间,还简化了自动化生产线上的焊接过程。紧凑的尺寸使得 SI2308CDS-T1-GE3 特别适合便携式电子设备,如智能手机和便携式电池管理系统。
SI2308CDS-T1-GE3 是一款强大且高效的 N 通道 MOSFET,适用于各种电源管理和信号开关应用。凭借其出色的电气特性和可靠的工作性能,该产品为现代电子设计提供了理想的解决方案。无论是在高功率应用还是在对开关速度要求严格的场景,SI2308CDS-T1-GE3 都能为设计师们提供卓越的性能,引领电子技术的不断发展。