额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |
DTC143ZKAT146是一款由ROHM(罗姆)公司生产的数字晶体管,采用表面贴装型封装,特别适合于现代电子电路中的各种应用。该器件结合了高效的性能和紧凑的设计,是低功耗和小型化电子设备设计中的理想选择。DTC143ZKAT146的核心特点包括200mW的额定功率、最大集电极电流Ic达100mA、集射极击穿电压Vce高达50V以及NPN-预偏置类型使其在多种条件下工作都能保持稳定。
高功率和高电流承载能力
DTC143ZKAT146具有200mW的额定功率,能够在集电极电流Ic条件下高达100mA运行。这使得该晶体管在需要较大电流驱动的应用中表现出色。
优秀的击穿电压和增益
此型号的集射极击穿电压Vce最大值为50V,意味着它能够承受较高的电压而不发生故障。同时,其在不同集电极电流Ic、基极电流Ib的情况下,具有最低80的DC电流增益(hFE),在10mA、5V的条件下工作表现良好。
低饱和压降 DTC143ZKAT146在250µA至5mA的工作条件下,集电极饱和压降(Vce(sat))最小仅为300mV。这使得它在高频应用中具有优良的开关特性,可以有效提高电路的整体效率。
极低的截止电流
该器件的集电极截止电流最大值仅为500nA,确保在非工作状态下,从电池或其他电源中提取的电流非常低,大幅度延长电池寿命和降低功耗。
高频响应能力
DTC143ZKAT146的封装设计能够使其在高达250MHz的频率跃迁中运作,适用于对频率响应要求较高的应用,如射频(RF)电路和高速开关电路。
便于集成和小型化设计
产品采用广泛使用的TO-236-3(SOT-23-3)封装,适合表面贴装(SMT)技术,易于与其它元器件共同集成在电路板上,大幅度节省空间,非常适用于小型电子产品及模块化设计。
DTC143ZKAT146可广泛应用于各种电子设备和电路设计中,如:
DTC143ZKAT146是一款功能强大的NPN数字晶体管,凭借其高效的电气特性和出色的设计,充分满足了当今快速发展的电子产品对性能的小型化需求。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统等应用领域,该器件都能够提供可靠的解决方案,帮助设计者实现更高效和更紧凑的电子产品设计。选择DTC143ZKAT146,您将获得高性能的电子元器件,助力您实现创新梦想!