
| 数量 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V,24A |
| 耗散功率(Pd) | 83W | 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | 输入电容(Ciss) | 2.33nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 460pF |

NCE3080K是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),适用于各种高功率和高频率的应用。它具有高达80A的持续电流能力,承受最高30V的工作电压,适合用于电源管理、开关电源、功率放大 এবং驱动电路等多种电气设备中。NCE3080K采用TO-252-2(DPAK)封装,具备良好的散热性能,使其在高负载工作条件下也能保持稳定的工作状态。
电气特性
性能指标
散热特性
NCE3080K的应用范围非常广泛,主要包括但不限于:
开关电源
电动汽车
LED驱动
电机控制
家电产品
NCE3080K作为一款高性能的场效应管,凭借其高达80A的电流能力和低导通电阻等优势,广泛应用于现代电子设备的电源管理、电动汽车以及其他高效能应用中。其TO-252-2封装不仅提升了散热性能,同时也为设计提供了良好的兼容性,是设计师在选择MOSFET时的重要考虑产品。随着市场对高效率、高性能电子元器件的需求不断增长,NCE3080K将继续发挥其在电子行业中的重要角色。