IRFL9014TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFL9014TRPBF

商品编码: BM69414756
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.303g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W;3.1W 60V 1.8A 1个P沟道 SOT-223-4
库存 :
13239(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.02
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.02
--
2500+
¥0.961
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFL9014TRPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)500mΩ@10V,1.1A
功率(Pd)3.1W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)270pF
反向传输电容(Crss@Vds)31pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFL9014TRPBF手册

IRFL9014TRPBF概述

产品概述:IRFL9014TRPBF

1. 引言

IRFL9014TRPBF是一款高性能的P沟道MOSFET(场效应管),由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。凭借其出色的电气特性和广泛的应用潜力,IRFL9014TRPBF在电源管理、开关应用及其他电子电路中具有重要地位。其主要特点包括最大漏源电压(Vdss)为60V,持续漏极电流(Id)达到1.8A,适用于多种高效能需求的设计。

2. 基础参数

IRFL9014TRPBF拥有一系列关键参数,其详细信息如下:

  • FET 类型: P通道
  • 技术: MOSFET(优质金属氧化物半导体)
  • 漏源电压(Vdss): 60V,这使其能够在较高电压条件下工作,适用于各种应用场合。
  • 持续漏极电流(Id): 1.8A(25°C时),展示了该元器件能承受的电流能力。
  • 驱动电压(Vgs): 10V,在此电压下可实现最佳的导通性能。
  • 导通电阻(Rds(on)): 最大值为500毫欧(@ 1.1A, 10V),使得功耗低、效率高。
  • 门槛电压(Vgs(th)): 最大值为4V (250µA),确保在低电压输入下也能快速打开。
  • 栅极电荷(Qg): 最多为12nC(@ 10V),适合高频应用,实现快速开关。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为270pF(@ 25V),对于改变栅极电压的速度有着良好的响应效果。
  • 功率耗散: 最大功率耗散分别为2W(环境温度时)及3.1W(结温时),广泛适应于不同工作环境。
  • 工作温度范围: -55°C至150°C,保证了在极端条件下的可靠性。

3. 封装信息

IRFL9014TRPBF采用SOT-223表面贴装封装,适合现代小型化电子产品设计。该封装提供了良好的热性能,可以有效降低结温,支持更高的功率处理能力。

4. 应用领域

IRFL9014TRPBF可广泛应用于多个行业,主要包括:

  • 电源管理: 用于DC-DC转换器、开关电源以及逆变器中,提供稳定的功率输出和高效的电流控制。
  • 开关应用: 在继电器驱动、LED调光和其他开关控制电路中,IRFL9014TRPBF可作为高效开关元件,提升整件设备的能效和响应速度。
  • 汽车电子: 该器件支持高温工作环境,适合在汽车电子设备中作为开关或保护元件。

5. 安全性及可靠性

IRFL9014TRPBF的工作温度范围和最大功率耗散确保了该元件在严苛环境中仍能稳定运行。此外,其高达±20V的栅极电压承受能力使其在电气过载情况下能够提供额外的安全保护。

6. 总结

IRFL9014TRPBF是一款可靠、高效的P沟道MOSFET,非常适合广泛的电子电路应用。凭借VISHAY的品质保证和严苛的测试标准,IRFL9014TRPBF无疑是现代电源模块、开关电路等设计的理想选择。无论是对于设计工程师还是系统集成商,选择IRFL9014TRPBF都能有效提升产品的性能和市场竞争力。