类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V,33A |
功率(Pd) | 60W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@33uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.7nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSC160N10NS3GATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能 N 通道 MOSFET,专为高压应用而设计,具备优秀的导通性能和散热特性。其漏源电压(Vdss)可达到100V,理想的工作温度范围为-55°C 至 150°C,适合于各种严苛的工作环境。此MOSFET被广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动和其他需要高效能的电子电路设计中。
BSC160N10NS3GATMA1的功率耗散能力可高达60W(@ Tc),这使其能够在高功率应用中有效散热,防止过热导致的性能下降或器件损坏。其设计注重了散热性能,能够在连续高负载下工作,而不会出现安全隐患。
该型号具有广泛的工作温度范围,从-55°C 到 150°C,这意味着它能够在极端环境下维持性能稳定。其耐高温设计使其适用于汽车、工业设备和电力电子等需要长时间连续工作的领域。
BSC160N10NS3GATMA1采用8-PowerTDFN(TDSON-8)封装,表面贴装型设计使其易于在现代PCB设计中集成。小型化和轻便性使得它在空间受限的应用中更具竞争力,同时也能为系统整体的轻量化和小型化提供支持。
BSC160N10NS3GATMA1广泛应用于:
BSC160N10NS3GATMA1在高压场合中提供了卓越的导电性和散热性能,是开发高效率电源和驱动解决方案的理想选择。凭借其优秀的技术参数及广泛的应用潜力,该MOSFET将成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在汽车、消费电子,还是工业控制领域,其高可靠性和出色的性能使其在市场上备受青睐。