类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 410mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,440mA |
功率(Pd) | 580mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 450pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 32pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.9pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMG1026UV-7是由DIODES(美台)公司制造的一款高性能2N沟道场效应管(MOSFET),特别适用于低电压和低功率应用。其设计考虑到了高效能与宽温范围的需求,使其在各种苛刻环境下表现出色。该产品广泛应用于消费类电子、计算机、通讯设备及汽车电气系统等领域。
DMG1026UV-7因其优良的电气性能,适合以下应用场合:
DMG1026UV-7 MOSFET是一款用于广泛电气应用的高性能、可靠性强的器件。其小型化表面贴装封装与优异的电气门特性相结合,为现代电子产品设计带来了更多的灵活性和高效性。凭借其低导通电阻、高频性能及广泛的工作温度范围,DMG1026UV-7在电源管理、LED驱动及汽车电子等领域都有着极其重要的应用价值。选择DMG1026UV-7,即是选择了一款高效、可靠的电子元器件解决方案。