D12V0H1U2LP1610-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

D12V0H1U2LP1610-7

商品编码: BM69414894
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
UDFN16102
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
TVS二极管
库存 :
20000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.723
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.723
--
100+
¥0.498
--
500+
¥0.453
--
2500+
¥0.42
--
5000+
¥0.392
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

D12V0H1U2LP1610-7参数

反向截止电压(Vrwm)12V最大钳位电压20V
峰值脉冲功率(Ppp)1kW击穿电压13V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)类型ESD

D12V0H1U2LP1610-7手册

D12V0H1U2LP1610-7概述

产品概述:D12V0H1U2LP1610-7 TVS二极管

在电子设计中,过压保护是保障设备稳定以及延长使用寿命的重要措施之一。D12V0H1U2LP1610-7是一款由DIODES公司生产的高性能齐纳二极管,专为电源线路的瞬态电压保护而设计。其独特的技术参数与广泛的应用场景使其成为在各种电子设备中保护敏感器件的理想选择。

基本参数

D12V0H1U2LP1610-7具备一系列出色的性能参数。其反向断态电压(V_R)为12V,最大值可达20V,而在最小击穿电压下(V_B),它能够以13V的电压有效保护线路。该产品在脉冲电流(I_pp)方面表现卓越,承受高达50A(在8/20μs脉冲宽度条件下),这使得它在面对短暂浪涌或冲击电流时具备良好的抗冲击能力。此外,其峰值脉冲功率为1000W(1kW),保证了在极端电流情况下依然能维持设备的安全。

频率特性

D12V0H1U2LP1610-7在频率特性上表现优异,在1MHz频率下的电容值为350pF。这一参数确保了其在高频应用中仍能提供有效的保护,从而避免潜在的信号干扰及影响系统的整体性能。

温度范围

在工作温度方面,D12V0H1U2LP1610-7的适用范围广泛,达到-55°C到150°C。这一特性使得它可以在各种严苛环境中稳定工作,满足工业、汽车和消费电子等不同领域的要求。

安装与封装

该元件采用表面贴装设计,封装尺寸为0603(1610公制),兼具Compact性和高效性。其U-DFN1610-2(B类)的封装规范在节省电路板空间的同时,能够提供更好的散热性能与电气性能。这一特性对于现代电子产品的小型化以及高效能设计至关重要。

应用场景

D12V0H1U2LP1610-7广泛应用于多种电子设备中的过压保护,尤其是在电源线和信号传输线路中。常见应用包括:移动设备、汽车电子、家用电器、工业控制设备等,以保护敏感的电子组件免受电涌和静电放电(ESD)带来的潜在损害。

竞争优势

与市场上其他同类产品相比,D12V0H1U2LP1610-7凭借其出色的电气性能和温度适应性,成为了一款非常具竞争力的解决方案。厂家DIODES的电气设计及制造技术保证了其产品能够在保证质量的同时,满足不断增长的市场需求。

结语

D12V0H1U2LP1610-7 TVS二极管是一款融合了高性能和广泛适用性的电子元器件,特别适合用于电压保护与瞬态抑制应用。无论是在严苛的工业环境,还是在需要小型化的消费电子产品中,它都能提供可靠的性能保障。选择D12V0H1U2LP1610-7,您为您的电子产品选择了安全、稳定与高效的保护方案。对于设计工程师而言,这款产品无疑是实现可靠设计的重要生产力工具。