类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 110A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,66A |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.7V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.36nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 260pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFR7540TRPBF是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),它专为高功率应用而设计,能够承受高达60伏特的漏源电压(Vds),同时提供连续的90安培漏极电流(Id)。这款MOSFET的最大功率耗散能力为140瓦特,使其能够在高动态负载条件下稳定工作。该元器件采用D-PAK(TO-252AA)封装,适合表面贴装(SMD)技术,有助于减小电路板尺寸并提高装配效率。
电气特性:
温度特性:
封装特性:
IRFR7540TRPBF的高电流与高电压适配使其广泛应用于各种电力电子设备,如:
IRFR7540TRPBF是一款领先的N通道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和工业级温度范围,成为高温、高功率应用中理想的选择。其可靠性和稳定性使其能够在各类苛刻环境下运行,满足现代电子设计对于高性能和高效能的双重需求。无论是在开关电源、电机驱动还是电池管理系统中,IRFR7540TRPBF都将是一个值得信赖的解决方案。