类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,18.0A |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.931nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 168pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP3036SSD-13 产品概述
产品简介
DMP3036SSD-13 是一款高性能的双 P 沟道场效应管 (MOSFET),被广泛应用于各种电子设备中,这款器件来自国际知名品牌 DIODES(美台),采用表面贴装型设计,封装为 SO-8,具有良好的散热性能和较小的占用空间,非常适合现代紧凑型电子产品设计。
主要参数
应用领域
DMP3036SSD-13 的设计使其在多个市场领域具有广泛的应用潜力:
工作温度与可靠性
DMP3036SSD-13 可在 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围内运行,适合各种恶劣环境下的应用,突显出该器件的可靠性和耐久性。这一特性使其在工业自动化、电信和汽车电子等要求苛刻的领域尤其受欢迎。
总结
整体而言,DMP3036SSD-13 是一款设计精良、性能优越的双 P 沟道 MOSFET,适合多种高效能应用。凭借其低导通电阻、较高的电流承载能力以及宽广的工作温度范围,该器件为电子设计工程师提供了极大的设计灵活性。DIODES 这一品牌在市场上的良好声誉和质量保证,为使用该器件的产品可靠性提供了保障。无论是在开关电源、电源管理还是电动驱动系统 中,DMP3036SSD-13 都能够满足现代电气与电子需求的挑战。