类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 70A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 130W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 106nC@20V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.38nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 500pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NCE40P70K 是一种高性能的 P 沟道 MOSFET,具有 130W 的功率控制能力,以及最大 40V 的耐压和 70A 的导通电流。该器件采用 TO-252-2(也称为 DPAK)封装,适用于多种电子应用。作为新洁能(NCE)品牌的一员,NCE40P70K 以其卓越的性能和可靠性广受青睐。
高功率处理能力:NCE40P70K 可以承受高达 130W 的功率,通过优化的沟道设计和热管理特性,使其在高负载工作状态下依然能够保持良好的散热性能。
耐压能力:器件的最大耐压为 40V,使其能够用于多种电源转换和驱动场合,比如蓄电池管理、电机驱动和开关电源等。
导通电流:其最大导通电流高达 70A,这为高功率电路设计提供了极大的灵活性,能够满足各种高负载应用的需求。
低导通电阻:该 MOSFET 在开启状态时具有极低的导通电阻,能够有效降低功耗并提高能效。这在高频开关电源和转换器中非常重要,能够减少热量产生,提高整体系统的可靠性。
快速开关特性:NCE40P70K 具有较快的开关速度,适用于高频率应用。在瞬态响应和电源管理方面,能够确保快速而准确的电流和电压控制,提升系统的整体性能。
NCE40P70K 的设计使其非常适合于以下应用:
开关电源:在开关电源中,P 沟道 MOSFET 扮演着关键的角色,能够高效地控制电能转化,保证电源的高效性和稳定性。
电机控制:在电机驱动应用中,NCE40P70K 可用于对电动机进行精确的开关控制,确保平稳的启动与停止,尤其是在无刷直流电机及步进电机控制中应用广泛。
电池管理系统:器件在电池充放电管理中也有着重要的应用,能够高效地控制充电、电流转换以及能量回收。
光伏逆变器:在光伏发电系统中,NCE40P70K 常被应用于逆变器中,实现从直流到交流的高效转换,促进可再生能源的利用。
消费电子产品:由于其低成品损耗和优良的热性能,该 MOSFET 也适用于手机、平板电脑等电子消费品,优化其电源管理和效率。
作为一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,NCE40P70K 以其高功率、低导通电阻和快速开关特性,成为众多电子应用中的优选元件。它不仅能够满足现代电子产品对高效、可靠和紧凑设计的需求,更为相关工程师提供了广泛的应用可能性。无论是在开关电源、电池管理还是电机驱动中,NCE40P70K 无疑是提升系统性能的重要选择。通过在产品开发中充分利用该器件的优势,工程师们能够实现更高效、更智能的电子产品设计,为最终用户提供更佳的使用体验。