晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 1.5W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 85@5.0mA,10V | 特征频率(fT) | 60MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@1.0A,100mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BCP68T1G 是一款 NPN 型双极型晶体管(BJT),由安森美(ON Semiconductor)制造,采用 SOT-223 封装。这款晶体管在电子产品中广泛应用,具备出色的电气性能和可靠性,适合多种电源管理和信号放大应用。其主要特性包括高达 1.5 瓦的功耗能力和 20 伏的集射极击穿电压,广泛应用于汽车电子、工业设备和通信设备中。
BCP68T1G 可广泛应用于:
综上所述,BCP68T1G 是一款性能优良的 NPN 型晶体管,具有高功耗能力、低饱和压降和广泛的工作温度范围。其出色的电气性能确保了在各种应用场景中能够高效稳定地运行。安森美的工程师们通过对其高增益及良好的频率特性进行了优化,为设计师提供了一个可靠的选择,适合各种现代电子产品的需求。无论是用于高频信号放大还是作为开关元件,BCP68T1G 都是一个值得信赖的电子元器件选择。