
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE) | 30@5mA,5V |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| 输出电压(VO(on)) | 100mV@10mA,0.5mA | 输入电阻 | 13kΩ |
| 电阻比率 | 1.2 |
DTA114EUAT106 是一款高性能的PNP型数字晶体管,采用表面贴装(SMD)技术,专为低功耗和高效应用而设计。它的最大功率额定为200mW,支持最高50V的集射极击穿电压,能够在不同的电流条件下维持稳定的电流增益。这种元器件非常适合用于电子开关、信号放大和驱动电路等多种应用场景,成为现代电子设计的重要组成部分。
电流特性:
电压特性:
饱和压降:
频率响应:
增益特性:
封装与安装:
基极和发射极电阻:
DTA114EUAT106 因其优异的电气特性,被广泛应用于各种电子产品中:
DTA114EUAT106是一款性能优越、应用广泛的PNP型数字晶体管。其小巧的封装、低功耗、高增益及良好的电压和电流特性,使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中,DTA114EUAT106都能够提供卓越的性能表现,是设计师和工程师的理想选择。选择DTA114EUAT106,无疑将提升整个电子系统的可靠性和效率。