MBR0530T1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MBR0530T1G

商品编码: BM69415148
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-123
包装 : 
编带
重量 : 
0.036g
描述 : 
肖特基二极管 430mV@500mA 30V 130uA@30V 500mA SOD-123
库存 :
166423(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.202
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.202
--
3000+
¥0.179
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MBR0530T1G参数

正向压降(Vf)430mV@500mA直流反向耐压(Vr)30V
整流电流500mA反向电流(Ir)130uA@30V

MBR0530T1G手册

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MBR0530T1G概述

产品概述:MBR0530T1G

基本信息

MBR0530T1G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能肖特基二极管,采用表面贴装封装形式SOD-123,特别适合于各种电子应用的电力管理和信号整流。该产品的设计考虑了高效能和可靠性,适合在极端温度和电气条件下工作。

主要参数

  1. 安装类型:表面贴装型(SMD)
  2. 二极管类型:肖特基二极管
  3. 电流 - 平均整流 (Io):500mA
  4. 正向电压 (Vf):430mV @ 500mA
  5. 反向耐压 (Vr):最大30V
  6. 反向饱和电流:130µA @ 30V
  7. 工作温度范围:-65°C ~ 125°C
  8. 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  9. 封装类型:SOD-123

性能特点

  • 高效的整流性能:MBR0530T1G的Average Rectified Current(Io)可达500mA,适合要求中等电流的高效整流应用。其低正向压降(Vf)为430mV(在500mA条件下),使其在高电流下依然保持较低的功率损耗,极大地提高了能效。

  • 低反向泄漏电流:反向泄漏电流在30V条件下仅为130µA,这意味着在正常工作的情况下,该二极管只会对电路引入极小的能量损耗,增强了系统的整体效率。

  • 快速恢复特性:该二极管具有快速恢复特性,恢复时间小于500ns,能够有效减少在高频转换过程中引入的干扰和信号失真,适合提升开关电源与高频电路的性能稳定性。

  • 宽广的工作温度范围:-65°C到125°C的工作温度范围让MBR0530T1G能够在极端的环境中可靠运行,适合航空航天、汽车电子及其他特殊行业的应用需求。

应用领域

MBR0530T1G的多种特性使其适用于广泛的应用场景:

  1. 电源管理:在开关电源、同步整流中实现高效整流,以提升电源效率和降低热量产生。
  2. 电动汽车:适用于电动汽车的电池管理系统,帮助改善电池充放电效率。
  3. 通信设备:在无线通信以及其他信号传输设备中,作为整流和保护元素有助于提高系统的可靠性。
  4. 消费电子产品:在各种消费电子产品中,用于电源的整流和线路保护,提供更稳定的工作条件。

包装与可用性

MBR0530T1G采用小型的SOD-123封装,适合于高密度的电路板设计。其表面贴装的特点也使得其在自动化装配过程中更加便捷。安森美提供高质量的产品保证,同时产品在许多电子元器件供应商中都能轻松获取,可确保快速交货,满足用户需求。

总结

MBR0530T1G是一款高性能、低功耗的肖特基二极管,适合多种应用场景。其优秀的整流特性、低漏电流以及宽广的工作温度范围使其成为现代电子设备中理想的选择。凭借安森美的品牌信誉和良好的产品设计,MBR0530T1G定能为用户的设计增添更高的价值和可靠性。