
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF |
| 反向传输电容(Crss) | 26.5pF |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 318pF |
AON6236是一款高性能的N沟道MOSFET,专为满足现代电子设备的功率管理需求而设计。该器件在多个关键参数上表现突出,适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率控制的应用场合。以下是该产品的详细技术规格和应用分析。
AON6236的设计以及生产过程采用了高质量的材料,使得其具有一系列优于竞争产品的性能特点:
考虑到其技术规格和性能优势,AON6236在多个应用场景中展现出巨大的潜力和灵活性:
作为一款高效能的N沟道MOSFET,AON6236不仅在技术规格上展现了优秀的性能,同时其紧凑的封装形式和优越的热管理能力使其在多种应用场景中极具竞争力。不断发展的电子产品市场要求元器件具备更高的功率密度、高效率和灵活性,AON6236的设计正是在应对这些挑战。无论是在开关电源、DC-DC转换器,还是在电机驱动等领域,AON6236均展示出其无可比拟的优势与应用前景,成为电子设计工程师的优选器件。