晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 75@0.1mA,10V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SMMBT2907ALT1G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款高性能PNP型双极结晶体管(BJT),其主要用于开关和放大应用。此元件具有出色的电气特性和可靠的性能,适合各种电子电路设计。
SMMBT2907ALT1G的设计使其非常适合用于各种电路的开关和放大功能,特别是在如下应用中:
SMMBT2907ALT1G的主要性能特点包括:
在应用 SMMBT2907ALT1G 时,设计师应注意以下几点:
SMMBT2907ALT1G是安森美生产的小型表面贴装PNP晶体管,凭借其卓越的性能和适用范围广泛的特点,可在众多电子应用中提供稳定、高效的信号放大和开关功能。该产品不仅具有优秀的电气特性,还具备良好的热稳定性和低功耗表现,使其在现代电子设计中成为不可或缺的元件之一。