类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 80A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V,40A |
功率(Pd) | 158W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 55nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.1nF@10V |
STP140N6F7 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 型 MOSFET,适用于多种电子应用。这款 MOSFET 采用 TO-220 封装,具有出色的热管理能力和机械强度,适合需要高功率和高效率的电源转换、马达驱动和开关电源等场合。这款器件凭借其低导通电阻和高电流承载能力,为设计工程师提供了出色的选择。
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 80A
最大功率耗散: 158W
导通电阻(Rds(on)): 3.5 mΩ @ 40A, 10V
栅极电荷(Qg): 55nC @ 10V
工作温度: 175°C(TJ)
门极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA
输入电容(Ciss): 3100pF @ 10V
STP140N6F7 的特性使其非常适合以下应用场景:
开关电源 (SMPS):
电机驱动:
汽车电子:
消费电子:
STP140N6F7 是意法半导体出品的一款性能卓越的 N 型 MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻以及优异的热稳定性,极大地拓宽了其应用场景。无论是在高要求的工业领域,还是在日常消费电子中,STP140N6F7 都能够满足现代电子产品日益增长的性能要求。这一产品无疑是追求高效率和可靠性设计工程师的重要工具。