STP140N6F7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP140N6F7

商品编码: BM0000001463
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.74g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 158W 60V 80A 1个N沟道 TO-220
库存 :
13(起订量1,增量1)
批次 :
19+
数量 :
X
7.59
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.59
--
100+
¥6.44
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP140N6F7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@10V,40A
功率(Pd)158W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)55nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.1nF@10V

STP140N6F7手册

STP140N6F7概述

STP140N6F7 产品概述

一、产品背景

STP140N6F7 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 型 MOSFET,适用于多种电子应用。这款 MOSFET 采用 TO-220 封装,具有出色的热管理能力和机械强度,适合需要高功率和高效率的电源转换、马达驱动和开关电源等场合。这款器件凭借其低导通电阻和高电流承载能力,为设计工程师提供了出色的选择。

二、关键规格

  1. 漏源电压(Vdss): 60V

    • 该门极-源极导通电压为60V,适合在中等电压应用中使用。
  2. 连续漏极电流(Id): 80A

    • 在适当的散热条件下,STP140N6F7 可以承载高达80A的连续漏极电流,使其能在高负载条件下保持稳定工作。
  3. 最大功率耗散: 158W

    • 该器件在工作温度为25°C时的最大功率耗散为158W,表现出色,适合高功率应用。
  4. 导通电阻(Rds(on)): 3.5 mΩ @ 40A, 10V

    • 在40A和10V的条件下,导通电阻达到最低 3.5 mΩ,为高效率电源设计提供了支持,极大地减少了开关损耗。
  5. 栅极电荷(Qg): 55nC @ 10V

    • 55nC的栅极电荷值使得驱动电路设计相对简单,可降低驱动功耗。
  6. 工作温度: 175°C(TJ)

    • 能够在高达175°C的工作温度下可靠运行,适用于诸如汽车、工业和高功率电子设备等苛刻环境。
  7. 门极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA

    • 提供了一定范围内的阈值电压,保证了较强的良好启动和关闭性能。
  8. 输入电容(Ciss): 3100pF @ 10V

    • 输入电容较大,对于高频开关应用而言具有良好的稳定性。

三、应用场景

STP140N6F7 的特性使其非常适合以下应用场景:

  1. 开关电源 (SMPS)

    • 由于其低导通电阻和高电流能力,非常适合在电力转换电路中使用,以提高系统效率。
  2. 电机驱动

    • 适合各种电动机控制应用,如无刷直流电动机和步进电动机,提供所需的电流和效率。
  3. 汽车电子

    • 由于其高工作温度和可靠性,这款MOSFET是汽车用电源、驱动器和控制器等应用的理想选择。
  4. 消费电子

    • 适用于高效能变换器、充电器和其他消费类电子设备。

四、总结

STP140N6F7 是意法半导体出品的一款性能卓越的 N 型 MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻以及优异的热稳定性,极大地拓宽了其应用场景。无论是在高要求的工业领域,还是在日常消费电子中,STP140N6F7 都能够满足现代电子产品日益增长的性能要求。这一产品无疑是追求高效率和可靠性设计工程师的重要工具。