类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 230mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.9Ω@1.8V,20mA |
功率(Pd) | 300mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 14.1pF@15V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 1.6pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN26D0UT-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,旨在为各种电子应用提供高效的电源管理和开关控制。该器件具有20V的漏源电压(Vdss)和230mA的连续漏极电流(Id),使其非常适合于需要小功率开关的应用场合。其小巧的 SOT-523 封装能够有效节省电路板空间,适合于紧凑型电子设备。
DMN26D0UT-7 主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和其他要求高效率和小体积的电路设计。以下是一些具体应用实例:
DMN26D0UT-7 采用 SOT-523 封装,这是一种表面贴装型封装,适用于自动化生产与组装。该封装不仅提供了良好的散热性能,还能有效地减小 PCB 占用面积,为多功能电路设计提供更大的灵活性。
DMN26D0UT-7 是一款具有显著性能优势的 N 通道 MOSFET,凭借其优秀的电气特性和小巧的封装形式,适用于各类低功耗应用。其广泛的工作温度范围和高电流承载能力使其在电子产品中得到了广泛认可,适合各种严苛的工作条件。无论是在移动设备、汽车电子还是家用电器中,它都能提供优秀的性能和可靠性,是管控电能传输的理想选择。