DMN26D0UT-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN26D0UT-7

商品编码: BM0000001485
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
0.027g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 300mW 20V 230mA 1个N沟道 SOT-523
库存 :
253446(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.605
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.605
--
200+
¥0.201
--
1500+
¥0.127
--
3000+
¥0.1
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN26D0UT-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)230mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.9Ω@1.8V,20mA
功率(Pd)300mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)14.1pF@15V反向传输电容(Crss@Vds)1.6pF
工作温度-55℃~+150℃

DMN26D0UT-7手册

DMN26D0UT-7概述

DMN26D0UT-7 产品概述

一、产品介绍

DMN26D0UT-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,旨在为各种电子应用提供高效的电源管理和开关控制。该器件具有20V的漏源电压(Vdss)和230mA的连续漏极电流(Id),使其非常适合于需要小功率开关的应用场合。其小巧的 SOT-523 封装能够有效节省电路板空间,适合于紧凑型电子设备。

二、关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): 此 MOSFET 的漏源电压最大为 20V,表示它能够承受的最高电压,确保在工作条件下的稳定性和可靠性。
  2. 连续漏极电流(Id): 该器件的最大连续漏极电流为 230mA (在 25°C 环境温度下),使其足够处理一般低功耗应用的电流需求。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 最小栅源极阈值电压为 1V@250µA,这意味着在此电压下 MOSFET 会开始导通,确保能够快速响应控制信号。
  4. 导通电阻(Rds(on)): 在 100mA 和 4.5V 驱动下,这款 MOSFET 的导通电阻(Rds(on))为 3Ω,降低了导通损耗,提升了工作效率。
  5. 功率耗散(Pd): 该器件的最大功率耗散为 300mW(在 25°C 条件下),确保它在特定的功耗范围内安全工作。
  6. 工作温度范围: DMN26D0UT-7 的工作温度范围广泛,为 -55°C 到 150°C,适用于极端环境下的应用。

三、设计与应用

DMN26D0UT-7 主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和其他要求高效率和小体积的电路设计。以下是一些具体应用实例:

  • 移动设备: 由于其低功耗和小型封装,使其非常适合于移动设备中的电源管理和信号开关。
  • 汽车电子: 工作温度范围广,适合在恶劣的汽车环境中使用,可用于控制灯光和电动窗等功能。
  • 家用电器: 能够高效地控制小功率电器的开关,为智能家居设备的互联互通提供便利。

四、封装与安装

DMN26D0UT-7 采用 SOT-523 封装,这是一种表面贴装型封装,适用于自动化生产与组装。该封装不仅提供了良好的散热性能,还能有效地减小 PCB 占用面积,为多功能电路设计提供更大的灵活性。

五、总结

DMN26D0UT-7 是一款具有显著性能优势的 N 通道 MOSFET,凭借其优秀的电气特性和小巧的封装形式,适用于各类低功耗应用。其广泛的工作温度范围和高电流承载能力使其在电子产品中得到了广泛认可,适合各种严苛的工作条件。无论是在移动设备、汽车电子还是家用电器中,它都能提供优秀的性能和可靠性,是管控电能传输的理想选择。