晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 32V | 功率(Pd) | 1.2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@0.5A,3V | 特征频率(fT) | 110MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 800mV@2A,0.2A |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:2DB1182Q-13 PNP晶体管
2DB1182Q-13是一款高性能的PNP型三极管(BJT),由著名半导体制造商DIODES(美台)生产。该器件采用TO-252封装,适用于高功率应用及各种电子电路中,是设计现代电子系统的重要选择。
晶体管类型:该器件为PNP型三极管,适合NPN型设备优先的电子应用,提供一个对称的电流控制特性。PNP晶体管的应用广泛,尤其是在开关和放大电路中。
电流和电压能力:2DB1182Q-13的最大集电极电流(Ic)为2A,适用维护负载的高电流需求,同时也提供了32V的最大集射极击穿电压(Vce),使其适合处理一般电源电压及较大的负载。
饱和压降:为了确保在高负载条件下的高效工作,该器件的饱和压降(Vce(sat))在200mA及2A情况下均小于800mV,这对于降低功耗和提高整体效率至关重要。
截止电流:该产品在截止状态下的集电极电流(ICBO)低至1µA,显示出极佳的漏电性能,有助于降低电路的静态功耗。
增益特性:在500mA的工作条件下,该三极管提供至少120的直流电流增益(hFE),使其在模拟信号放大时能够实现良好的增益与线性度,适合于不同的信号放大应用。
频率响应:该器件具有110MHz的跃迁频率,允许其在高频信号应用中工作,适合于高速开关电路及高频放大器的设计。
工作温度范围:该三极管的工作温度范围为-55°C到150°C,使其在严酷环境条件下均能稳定工作,适合汽车、工业控制及其他要求高耐受性的应用场景。
功率处理能力:拥有10W的最大功率处理能力,使其能够处理多种负载情况,适合各种功率应用或放大器设计。
封装设计:TO-252封装提供了优秀的散热性能和易于表面贴装的特性,特别适合现代电子设备对空间和散热的要求。
由于其优异的性能和多样的电气特性,2DB1182Q-13 PNP晶体管广泛应用于多种领域,例如:
2DB1182Q-13 PNP三极管凭借其出色的电气性能、高频特性和广泛的工作温度范围,成为工程师和设计师在选择电子元器件时的理想选择。其在高功率应用和各种电子电路中展现出的优越能力,提高了系统的整体效率和可靠性。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,2DB1182Q-13都是一款值得信赖和广泛应用的三极管。