类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 70A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V,70A |
功率(Pd) | 2.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 64.2nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.826nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 305pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP3007SFG-7 是一款高效的 P 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),专门设计用于各种功率管理应用。它具备优良的电气性能和热管理能力,在宽广的工作温度范围内表现出色,适合用于电源开关、马达驱动和其他需要高电流和高电压的场合。其使用的 PowerDI3333-8 封装不仅确保了有效的散热性能,同时也减少了占用的 PCB 空间,适合高密度的电子产品设计。
电压与电流能力:
导通电阻和效率:
栅极驱动特性:
电容和开关特性:
功率耗散与热管理:
封装特性:
应用场景:
DMP3007SFG-7 作为一款高性能 P 沟道 MOSFET,结合了高电流承载能力、低导通电阻及宽广的温度范围,使其在现代电子设计中具备极高的适应性和效率。其出色的电气特性、优良的热管理能力以及紧凑的封装形式,确保了其在各类功率管理及控制应用中的优秀表现,是研发和设计高效能电子产品的理想选择。