集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@5mA,0.25mA | 电阻比率 | 1.1 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DCX124EU-7-F是一款高性能数字晶体管,具有双重功能,集成了一个NPN和一个PNP晶体管,采用预偏置设计,专为紧凑型电子应用而优化。该元件的封装形式为SOT-363,这使其适合表面贴装技术(SMT)并在高密度电路板中占据极小的空间。此元件由DIODES(美台)制造,以其卓越的性能在电子行业内广受欢迎。
DCX124EU-7-F的跃迁频率为250MHz,允许其在高速信号处理和开关应用中表现出色。此频率特性使得该器件能够用于现代高频数字电路,如射频(RF)传输和高速数据通信。
在不同的Ic和Vce条件下,该晶体管的DC电流增益(hFE)最小值为56,适用于从小信号放大到较大驱动负载的应用。此外,当Ic为5mA,Vce为5V时,增益能够保持在合理范围内,适合于多种电路设计需求。
该晶体管的饱和压降定为300mV(在Ib=500µA,Ic=10mA的条件下),极低的饱和压降意味着它在饱和状态下能够实现较小的功耗,从而提高系统的整体效率。而集电极截止电流的最大值为500nA,这一特性为低功耗系统提供了必要的支撑,尤其在待机模式时显得尤为重要。
DCX124EU-7-F的设计使其能够广泛应用于各种电子设备,包括但不限于:
DCX124EU-7-F是一款性能优越、设计精巧的数字晶体管,凭借其出色的电流增益、频率特性及低功耗性能,极大地满足了现代电子设备对高效、稳定和空间节约的要求。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制领域,该元器件均能展现其卓越的性能,成为设计师实现多种应用创新的理想选择。DIODES(美台)凭借其优质的技术和支持,确保用户在实际应用中得到最佳的使用体验。