类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@4.5V,1.9A |
功率(Pd) | 8.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.7nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 637pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 53pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP6A17E6QTA是一款高性能P沟道MOSFET,主要应用于需要高效开关和功率管理的电子电路中。这款器件由DIODES(美台)公司制造,特别设计用于在广泛的工业及消费类应用中提高能效和减少功率损失。其小巧的SOT-26封装使其在空间受限的设计中尤为有用,适合于各种紧凑型电子设备。
ZXMP6A17E6QTA采用SOT-26封装,特性表明该器件具有较小的体积和优良的散热性能,非常适合表面贴装技术(SMT)。表面贴装技术能帮助缩小电路板面积,提高装配密度,从而为设备的集成化设计提供极大的便利。
ZXMP6A17E6QTA的设计使其非常适合于多个领域,包括但不限于:
ZXMP6A17E6QTA是一款功能全面且表现卓越的P通道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的应用,这款器件为工程师在设计高效和可靠的电子产品时提供了理想的解决方案。其可靠的工作温度范围和优秀的功率耗散能力,使其在严苛环境下依然能够稳定运行。
无论是在传统的电源管理系统,还是新兴的电池供电设备,ZXMP6A17E6QTA都能为设计人员提供必要的灵活性与可靠性,是现代电子设计中一个不可或缺的重要元件。