ZXMP6A17E6QTA 产品实物图片
ZXMP6A17E6QTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZXMP6A17E6QTA

商品编码: BM0000001803
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.1W 60V 2.3A 1个P沟道 SOT-26
库存 :
2910(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.84
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.84
--
100+
¥1.48
--
750+
¥1.32
--
1500+
¥1.24
--
3000+
¥1.18
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXMP6A17E6QTA参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@4.5V,1.9A
功率(Pd)8.8W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17.7nC输入电容(Ciss@Vds)637pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)53pF@30V工作温度-55℃~+150℃

ZXMP6A17E6QTA手册

ZXMP6A17E6QTA概述

ZXMP6A17E6QTA 产品概述

概述

ZXMP6A17E6QTA是一款高性能P沟道MOSFET,主要应用于需要高效开关和功率管理的电子电路中。这款器件由DIODES(美台)公司制造,特别设计用于在广泛的工业及消费类应用中提高能效和减少功率损失。其小巧的SOT-26封装使其在空间受限的设计中尤为有用,适合于各种紧凑型电子设备。

关键规格

  • FET 类型: P通道MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下可承受2.3A的电流。
  • 导通电阻(Rds On): 在10V的栅极电压下,导通电阻最大值为125毫欧,这使得器件在导通状态下的功率损耗非常低。
  • 驱动电压(Vgs): 最小驱动电压为4.5V,最大为10V,具有较宽的操作范围。
  • 门极阈值电压(Vgs(th)): 最大阈值电压为3V,适合低压操作条件。
  • 输入电容(Ciss): 最大输入电容为637pF(在30V时测得),这意味着在高频应用中的小信号响应良好。
  • 工作温度范围: 器件能够在-55°C至150°C的温度范围内可靠工作,适合于高温和严酷环境的应用。
  • 功率耗散(Pd): 最大功率耗散为1.1W,能够承受较高的热负荷而不受损坏。

封装与安装

ZXMP6A17E6QTA采用SOT-26封装,特性表明该器件具有较小的体积和优良的散热性能,非常适合表面贴装技术(SMT)。表面贴装技术能帮助缩小电路板面积,提高装配密度,从而为设备的集成化设计提供极大的便利。

应用领域

ZXMP6A17E6QTA的设计使其非常适合于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源: 该器件能够有效管理电源转换过程中的开关,降低功耗,提高效率。
  2. 电机驱动: 在直流电机驱动电路中可用作开关元件,具备快速响应及高效导通特性。
  3. 负载开关: 可用于高侧或低侧开关应用,控制大功率负载的开关情况。
  4. LED驱动: 在LED照明应用中,通过高效的电流控制,提高LED的亮度和使用寿命。
  5. 电池管理: 能够在移动设备和电动汽车的电池管理系统中调节充电和放电过程,提升电池性能。

总结

ZXMP6A17E6QTA是一款功能全面且表现卓越的P通道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的应用,这款器件为工程师在设计高效和可靠的电子产品时提供了理想的解决方案。其可靠的工作温度范围和优秀的功率耗散能力,使其在严苛环境下依然能够稳定运行。

无论是在传统的电源管理系统,还是新兴的电池供电设备,ZXMP6A17E6QTA都能为设计人员提供必要的灵活性与可靠性,是现代电子设计中一个不可或缺的重要元件。