APT13003DI-G1

APT13003DI-G1是一款高性能的NPN型晶体管，专为广泛的电子应用设计。这款元器件具备优异的电气性能和强大的工作能力，适合多种电子电路中的功率放大、切换和信号处理等功能。

产品概述

APT13003DI-G1的最大集电极电流（Ic）为1.5A，支持较高的负载能力，使其非常适合用于需要中功率承载的应用场合。其最大集射极击穿电压（Vceo）为450V，这一特性使得APT13003DI-G1能够在高压电路中稳定工作，这是其在工业自动化、驱动电路和电源管理等领域广泛应用的关键原因。

在饱和状态下，该晶体管的Vce饱和压降最大值为400mV（在Ic为250mA和1A时），这表明APT13003DI-G1在通断过程中能够有效降低功率损失，从而提高了电路的效率和可靠性。此特性对于需要频繁开关操作的应用场合尤为重要。

此外，APT13003DI-G1具有至少5的直流电流增益（hFE），在1A电流和2V交直流电压下表现优异。这一增益水平确保了其在信号放大和开关电路中的有效性，能在较小输入信号下实现较大的输出功率。

从功率处理能力上看，APT13003DI-G1的最大功率为24W，允许其在高功率应用中正常运作。根据电气特性，该器件的频率跃迁能力高达4MHz，使其不仅适合于低频操作，也能在高频范围内稳定工作，适应多种信号处理需求。

APT13003DI-G1的工作温度范围为-65°C至150°C（TJ），极大地扩展了其应用场景，能够在高温环境及特定低温环境下长期稳定工作。这样的特性使该晶体管在汽车电子、航空航天等极端环境下的应用变得可行。

在物理特性方面，APT13003DI-G1采用TO-251-3短引线封装（也称为IPak或TO-251AA），支持通孔安装技术，使其便于在各种PCB布局中集成。紧凑的封装设计能够提高电路的空间利用率，并且适应现代电子设备对小型化的需求。

APT13003DI-G1的品牌由DIODES（美台）提供，其质量和性能得到了业内广泛的认可。DIODES作为知名的半导体制造商，致力于研发和生产高性能电子元器件，保证每一款产品都遵循严格的质量标准。

综上所述，APT13003DI-G1作为一款优秀的NPN功率晶体管，凭借其出色的电流承载能力、较高的击穿电压、低饱和压降及宽广的工作温度范围，成为多种电子应用中的理想选择。无论是在家电、工业设备还是汽车电子领域，APT13003DI-G1都能以其卓越的性能满足设计师和工程师的需求。选择APT13003DI-G1，不仅可以提高设备的工作效率，也能为系统的整体性能提供稳定的保障。