RQ5H020SPTL
RQ5H020SPTL参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 45V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@4.5V,2.0A |
| 功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 500pF |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
RQ5H020SPTL手册
RQ5H020SPTL概述
RQ5H020SPTL 产品概述
产品名称: RQ5H020SPTL
类型: P 沟道 MOSFET
制造商: ROHM（罗姆）
封装类型: TSMT3 (SC-96)
工作温度: 最高150°C
功率耗散: 最大540mW
一、引言
RQ5H020SPTL 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效能电子电路而设计，广泛应用于电源转换、功率开关以及其他需要低导通损耗的场合。该器件具有较高的耐压特性及较低的导通电阻，使其在众多应用场景中展现出色的性能。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）: RQ5H020SPTL 的漏源电压为 45V，适用于需要较高耐压的电路设计，能够有效满足各类电源与电机控制系统的需求。
最大漏极电流（Id）: 在25°C环境下，该器件的连续漏极电流最高可达 2A，充分满足加载要求，同时保持安全的运行状态。
导通电阻（Rds On）: 在 Vgs 为 10V、Id 为 2A 的条件下，RQ5H020SPTL 的最大导通电阻仅为190毫欧，保证了优异的导电性和低能量损耗，有助于提高整体电路效率。
栅极阈值电压: Vgs(th) 的最大值为 3V，这意味着该 MOSFET 在较低的栅极电压下也能实现导通，适用于低电压驱动的应用。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 9.5nC，当 Vgs 为 10V 时，意味着该器件在驱动上也具有较低的功耗和快速的开关特性。
输入电容（Ciss）: 在 10V 时，输入电容最大值为 500pF，这影响了开关速度和复位时间，使其适用于高频开关应用。
栅极电压（Vgs）: 栅极的最大电压为 ±20V，增加了与各种驱动电路兼容的灵活性。
三、应用场景
RQ5H020SPTL 由于其出色的电气特性，适用于如下应用场景：
- 开关电源: 该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器中，作为主开关元件，提供更高的效率和稳定性。
- 电机驱动: 在电机控制电路中，RQ5H020SPTL 可做为高侧或低侧开关，确保快速的开关性能及低功耗。
- 功率管理: 用于各种功率管理模块，提升系统整体效率并减少热量产生。
- 自动化与控制系统: 在传感器和执行器的控制中，实现低延时和高效能的开关。
四、总结
RQ5H020SPTL 是 ROHM 制造的一款优秀的 P 沟道 MOSFET，其高达 45V 的漏源电压、2A 的最大漏电流、低导通电阻及小型化的 TSMT3 封装，使其在许多现代电子应用中具备很高的适应性与可靠性。无论是在开关电源、电机控制还是功率管理等领域，RQ5H020SPTL 都提供了极大的设计灵活性，是高效能电子产品设计的理想选择。选择 RQ5H020SPTL，即选择了性能和信赖的结合，帮助设计师实现更高效、更节能的产品方案。