类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 22A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@10V,8A |
功率(Pd) | 3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 888pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 115pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AON7804是一款高效能的双N沟道MOSFET,专为各种低电压高电流应用设计。它的额定漏源电压为30V,能够承受高达9A的连续漏极电流,使其在电流管理和功率转换的场合中表现出色。使用AON7804可以帮助设计工程师构建高效的电源管理解决方案,实现更高的能量转换效率和可靠性。
AON7804采用DFN-8(3x3)封装,这种小型化设计不仅节省了电路板的空间,也提供了优秀的散热性能。DFN封装的低高度特性,使该器件非常适合于紧凑型电子产品及多层电路板的应用。
AON7804可广泛应用在以下领域:
AON7804的设计将高效能与复杂性相结合,提供了极低的导通电阻和快速的开关特性。这使得电路在高频率和大电流运行时,能够有效减少热量产生,延长产品的使用寿命。此外,双N沟道的结构设计为用户在多种电路拓扑中提供了灵活性,使得设计方案更加多样化。
凭借其优异的电性参数和适应性,AON7804在业界表现出极高的竞争力。无论是在高效喻音环和电源转换的关键应用之外,AON7804都能为各类电子产品提供强大的支持和保障。随着电子设备对能效和小型化要求的不断提升,AON7804无疑是一个值得推荐的解决方案,能够帮助客户实现更高的能效和更佳的性能。