BSH108,215

BSH108,215 产品概述

概述

BSH108,215 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为在各种电子应用中提供卓越的开关性能和驱动能力而设计。其基于先進的半导体技术，具备出色的电气特性，广泛适用于电源开关、负载驱动、信号放大等多种应用场景。

主要参数

• 漏源电压 (Vdss): 30V
• 最大连续漏极电流 (Id): 1.9A (在25°C 的环境温度下)
• 漏源导通电阻 (Rds On): 120mΩ @ 1A, 10V
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2V @ 1mA
• 驱动电压: 适应于 5V 和 10V 驱动
• 最大功率耗散: 830mW (在25°C 环境温度下)
• 工作温度范围: -65°C 至 150°C (结温 TJ)

封装与安装

BSH108,215 采用 TO-236AB （SOT-23）封装，非常适合表面贴装技术（SMT），方便在现代电子设备的小型化和高集成度趋势中使用。这种封装具有良好的热性能与电气性能，适合高频和高效应用。

关键特性

1. 高开关速度: BSH108,215 的栅极电荷 (Qg) 达到最大值 10nC，这保证了其在高速开关应用中的表现，同时减小了开关损耗，提升了能效。

2. 低导通损耗: 低的漏源导通电阻 (Rds On) 使得在工作状态下的功率损耗极小，有利于提高系统整体的能效。

3. 耐高温性能: 该器件的工作温度范围广（-65°C 到 150°C），使其能够在极端环境条件下可靠工作，适用于汽车电子、工业控制等高温要求的场合。

4. 良好的电气绝缘性: 最大栅源电压（Vgs）可达到 ±20V，为电路设计提供了更大的灵活性，能够有效地防止潜在的电气过载情况。

应用场景

BSH108,215 广泛应用于如下领域：

• 开关电源: 其卓越的开关性能让其成为 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器等电源电路的理想选择。
• 电机驱动: 在驱动小型电机和负载时，BSH108,215 的高电流能力与低导通电阻能有效降低热量和能量损失。
• 信号开关: 适用于各种信号传输与处理电路，良好的线性特性使其能够用作小信号放大器。
• 消费电子: 可广泛应用于便携设备，如手机、平板电脑、便携式音响等，因其小型化封装使得产品设计更加紧凑。

结论

综合以上分析，BSH108,215 是一款功能强大、性能优越的 N 沟道 MOSFET，适用于现代电子设计中的多种应用。其低功耗、高效率、宽工作温度范围和出色的散热能力，使其在严苛的工作环境中也能稳定运行。正因如此，BSH108,215 在电子产品的设计和实施中展现了极大的潜力，是工程师们值得信赖的选择。