类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,27.5A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STP55NF06 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能 N 型场效应管(MOSFET),其具有出色的电气特性和广泛的应用场景。该元器件在功率电子设计中扮演着重要角色,适合用于各种功率管理应用,如开关电源、马达驱动、功率转换器及其他需要高效率和高可靠性的电力控制要求的电路。
电流和电压处理能力:
导通电阻和功率耗散:
栅极驱动特性:
温度和电容特性:
封装和安装:
STP55NF06 适合广泛的应用领域,例如:
STP55NF06 是一款性能优良、稳定的 N 型 MOSFET,凭借其出色的电流容量、低导通电阻和广泛的工作温度范围,成为各种功率电子应用中的理想选择。无论是在开关电源还是马达驱动等领域,其高效的电气性能都能提供可靠的支持,帮助设计者实现高品质的电力控制方案。整体而言,STP55NF06 以其卓越的特性和意法半导体的品牌质量保证,成为工程师和设计师在设计高效能电力电子设备时的重要助手。