DMP58D0LFB-7

DMP58D0LFB-7 产品概述

产品简介

DMP58D0LFB-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为低功耗应用而设计。作为一款表面贴装型器件，DMP58D0LFB-7 采用了紧凑的 3-X1DFN1006 封装，使其非常适合空间有限的电路设计。该器件在 –55°C ~ 150°C 的广泛工作温度范围内保持稳定性能，符合各种严苛环境的应用需求。

关键参数

• FET 类型： P 通道
• 技术： MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）： 50V
• 连续漏极电流（Id）： 180mA（25°C 时）
• 驱动电压： 2.5V 至 5V
• 导通电阻（Rds On）： 最大 8 欧姆 @ 100mA 和 5V 的条件下
• 阈值电压（Vgs(th)）： 最大 2.1V @ 250µA
• 最大 Vgs： ±20V
• 输入电容 (Ciss)： 最大 27pF @ 25V
• 功率耗散（Pd）： 最大 470mW
• 封装类型： 3-UFDFN
• 工作温度范围： -55°C ~ 150°C

性能特点

1. 高效能：DMP58D0LFB-7 的设计特性使其在低导通电阻和较高的操作电流条件下表现卓越。最大 8 欧姆的导通电阻，确保在开启状态下能够有效降低功率损耗，提高电能转换效率。

2. 优越的温度特性：该 MOSFET 的工作温度范围广泛，能够在极端环境下运行，适合于汽车、工业控制和航天等高温环境应用。同时， -55°C 至 150°C 的温度范围使其在高温场合下依然保持稳定性能。

3. 小型封装：采用 3-X1DFN1006 封装，DMP58D0LFB-7 的体积小巧，有助于设计紧凑电路，节省 PCB 空间，特别适合于现代电子设备的小型化趋势。

4. 适应性强：该器件的最大 Vgs 均达到 ±20V，提供了较大的栅极驱动范围，从而能够适应不同电路设计的需要。同时，不同漏极电流 Id 和 Vgs 下的阈值电压 Vgs(th) 的特性，也使得它更加灵活，便于设计调整与优化。

5. 优良的安全性：DMP58D0LFB-7 在连续工作中能够承受 180mA 的电流，并且在功率耗散方面提供了最大的 470mW 的能力，有效地降低了过热的风险，确保设备的可靠性。

应用场景

DMP58D0LFB-7 适用于多个应用领域，包括但不限于：

• 电源管理：在 DC-DC 转换器和电源开关中广泛应用，能够有效地提高整体电源效率和稳定性。
• 信号开关：作为信号开关的关键元件，可以实现高效的电路切换，适合于各种数字和模拟信号处理电路。
• 汽车电子：由于其高温操作能力和良好的抗干扰性，适合于汽车电子部件，如电动门、灯光控制等。
• 工业控制：广泛应用于自动化设备、机械控制系统等场合，确保系统在各类复杂环境下可靠运行。

结束语

总体而言，DMP58D0LFB-7 是一款性能优越、应用广泛的 P 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和小型封装设计，非常适合当前和未来高效能电子设备的需求。在设计低功耗、高可靠性系统时，这款 MOSFET 无疑是一个值得信赖的选择。