类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 950V |
连续漏极电流(Id) | 8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ@10V,4A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@760V | 输入电容(Ciss@Vds) | 630pF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.6pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STF10N95K5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道MOSFET,具有优异的电气特性和宽广的应用范围。此器件特别适合用于高电压、高功率的开关电路和线性应用。其主要特点包括950V的漏源电压、8A的连续漏极电流以及30W的最大功率耗散,能够在严苛的工作环境中高效运行。
STF10N95K5广泛应用于各种功率电子设备中,如:
STF10N95K5采用TO-220-3封装,该封装设计坚固,能够承受较高的热量并方便散热。TO-220封装的设计可以直接通过散热片进行良好的热管理,确保元器件在高功率条件下的安全运行。
总的来说,STF10N95K5是一款具有高可靠性、高电压和高功率处理能力的N沟道MOSFET,适用于各种对性能要求严格的应用。无论是在工业、消费电子还是可再生能源领域,该产品都能为设计者提供稳定的解决方案,以满足现代电子系统日益增长的功率和效率需求。其卓越的电气性能,使得STF10N95K5在众多市场中成为理想的选择,是广大工程师和设计师进行高效电路设计的合适伴侣。