2SB1132T100R参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 1A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
2SB1132T100R手册
2SB1132T100R概述
产品概述:2SB1132T100R PNP晶体管
基本信息
- 品牌: ROHM(罗姆)
- 型号: 2SB1132T100R
- 封装类型: MPT3(SOT-89)
- 类型: PNP型三极管
- 安装类型: 表面贴装型(SMD)
电气参数
- 最大集电极电流(Ic): 1A
- 最大集电极截止电流(ICBO): 500nA
- 最大功率: 2W
- 最大集射极击穿电压(Vce): 32V
- 不同集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)时的饱和压降(Vce(sat)): 最大500mV,分别针对50mA和500mA的Ic
- 工作温度范围: -40°C 至 +150°C(TJ)
- 频率特性: 跃迁频率为150MHz
- 直流电流增益(hFE): 在100mA、3V时的最小值为180
功能特性 2SB1132T100R是一款高性能PNP晶体管,专为满足多种用于开关和放大应用的需求设计。凭借其最大1A的集电极电流和32V的集射极击穿电压,2SB1132T100R适用于需要较高电流和电压的电路中。
其高达150MHz的跃迁频率使其在高频应用中表现优良,适合用于信号处理和高频开关电路。同时,最大功耗达到2W,使得该晶体管能够在较具挑战性的条件下可靠工作。
此外,该产品的直流电流增益(hFE)在典型工作条件下可达到180,说明其在放大应用中能够提供良好的增益,充分满足小信号处理或者功率放大等需求。
应用场景 2SB1132T100R广泛应用于各类电子设备中,尤其是:
- 音频放大器: 其高增益和低饱和电压非常适合用于音频信号放大。
- 开关电源: 可用于电源管理电路,以控制开关动作。
- RF信号调制: 由于其高频特性,适合用于无线通信及其它RF电路。
- 电机控制: 适用于直流电机的启动与控制。
- 移动设备和便携式电子产品: 由于其小型化封装(SOT-89),使其成为设计紧凑型电子产品的理想选择。
结论 ROHM的2SB1132T100R PNP三极管在高电流和高频应用中显示出良好的性能,适合多种电子设备的设计要求。其出色的热性能和低功耗特性使其成为理想的选择,无论是在高频开关应用,还是在高效能的放大应用,均能发挥其优越性能。结合其小型表面贴装封装,使得该产品在复杂的电路设计中提供了极大的灵活性和适应性。无论是专业的工程师还是电子爱好者,2SB1132T100R都将是实现设计目标的强大工具。
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