晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 32V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@0.1A,3V | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 500nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息
电气参数
功能特性 2SB1132T100R是一款高性能PNP晶体管,专为满足多种用于开关和放大应用的需求设计。凭借其最大1A的集电极电流和32V的集射极击穿电压,2SB1132T100R适用于需要较高电流和电压的电路中。
其高达150MHz的跃迁频率使其在高频应用中表现优良,适合用于信号处理和高频开关电路。同时,最大功耗达到2W,使得该晶体管能够在较具挑战性的条件下可靠工作。
此外,该产品的直流电流增益(hFE)在典型工作条件下可达到180,说明其在放大应用中能够提供良好的增益,充分满足小信号处理或者功率放大等需求。
应用场景 2SB1132T100R广泛应用于各类电子设备中,尤其是:
结论 ROHM的2SB1132T100R PNP三极管在高电流和高频应用中显示出良好的性能,适合多种电子设备的设计要求。其出色的热性能和低功耗特性使其成为理想的选择,无论是在高频开关应用,还是在高效能的放大应用,均能发挥其优越性能。结合其小型表面贴装封装,使得该产品在复杂的电路设计中提供了极大的灵活性和适应性。无论是专业的工程师还是电子爱好者,2SB1132T100R都将是实现设计目标的强大工具。