FQA9N90C-F109

产品概述：FQA9N90C-F109 N通道MOSFET

FQA9N90C-F109是安森美（ON Semiconductor）公司推出的一款高性能N通道MOSFET，专为需要高额功率与电压处理能力的电子应用而设计。该器件采用TO-3PN-3封装，适合各种工业和消费类电子产品中的功率管理和开关应用。

基本参数

1. 驱动电压与导通电阻：

   • FQA9N90C-F109的最大Rds(On)值为1.4Ω（在4.5A电流和10V栅极驱动下），保证了在大电流工作环境中依然能够保持较低的导通损耗，降低系统整体的功耗。
   • 最小Rds(On)值和最佳工作点的保证使得该MOSFET在设计电路时尤为重要。其适合于需要优异热性能和电气特性的应用。

2. 阈值电压与栅极电荷：

   • 该MOSFET的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V（在250µA电流下），能够确保在较低电压驱动下即能顺利打开，从而使其在低电压应用中具有优越的性能
   • 栅极电荷（Qg）最大值为58nC（在10V Vgs下），这意味着在开关频率较高的应用中，能够更有效地控制栅信号的切换。

3. 连续漏极电流与功率耗散：

   • 在Tc环境温度下，该MOSFET的连续漏极电流（Id）可达9A，为大多数普通工业电路提供足够的电流处理能力。
   • 功率耗散最大值为280W，大幅提升了在重载和高温情况下的可靠性和应用灵活性。

4. 漏源电压(Vdss)和工作温度：

   • FQA9N90C-F109的漏源电压(Vdss)高达900V，确保在电力电子设备中可以应用于高电压输出的场合，如开关电源、逆变器和其他高压应用。
   • 工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），使得该器件能够在极端的工业环境下表现良好，确保长期稳定可靠的运行。

应用领域

FQA9N90C-F109由于其高电压、大电流及低功耗特性，广泛应用于以下领域：

• 电源管理：用于开关电源和变换器设计，为高功率输出提供必要的效率和稳定性。
• 电机驱动：在电机控制器中处理大电流和高电压，通过高效开关动作控制电机的启动、运行及停止。
• 汽车电子：在汽车电动系统及高压电池管理中，提供出色的电流控制和热稳定性。
• 工业控制：在各种自动化设备和控制系统中，确保长时间负载下的可靠性和效率。

小结

综上所述，FQA9N90C-F109 N通道MOSFET是一款性能卓越的元器件，具有高电压、高电流和优异的导通特性，适合在复杂电源管理和电机驱动系统中使用。其宽广的工作温度和高功率耗散能力使其在各种严苛环境下依旧表现出色，是现代电子设计中不可或缺的一部分。选择FQA9N90C-F109，意味着在高效能应用中的更高可靠性和性能保障。